A1266-GR 时间：2025/5/8 15:06:46 阅读：6

A1266-GR是一款基于霍尔效应的线性传感器集成电路，广泛应用于需要高精度磁场检测的场景。该芯片能够提供与周围磁场强度成比例的模拟电压输出，具有低噪声、高灵敏度和宽温度范围的特点，适用于汽车、工业和消费类应用。

参数

工作电压：4.5V至24V
　　电源电流：最大10mA
　　输出灵敏度：2.5mV/Gauss（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：TO-92S
　　输出类型：模拟电压

特性

A1266-GR采用BiCMOS工艺制造，具有优异的温度稳定性和低漂移性能。其内置的动态偏移消除技术可以减少通常由温度梯度和机械应力引起的残余偏移电压。
　　该芯片集成了多种保护功能，包括反向电压保护、短路保护和过热保护，确保在恶劣环境下的可靠性。
　　A1266-GR支持单极或双极磁场检测，并且具备较宽的工作电压范围，使其非常适合电池供电系统和工业控制系统。
　　此外，其小型化的封装形式和出色的电气特性使得A1266-GR成为各类磁场传感应用的理想选择。

应用

A1266-GR主要应用于非接触式位置检测、速度测量、电流感应以及角度测量等场合。例如，在汽车电子领域，它可以用于油门踏板位置传感器、变速箱换挡传感器和电机转速监控；在工业自动化中，可用于位移传感器、液位传感器和机器人关节角度检测；在消费类电子产品中，它也可作为游戏控制器或手势识别设备中的关键组件。