时间：2025/6/14 8:45:07
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A10V20BPLG68C是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺和封装技术。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各种工业控制领域。其设计能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号：A10V20BPLG68C
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
A10V20BPLG68C采用了优化的硅片结构和先进的封装材料，确保了卓越的热性能和电气性能。
1. 低导通电阻(4.5mΩ)，显著降低了传导损耗，适用于大电流应用场景。
2. 高开关频率支持，能够满足现代高频开关电源的需求。
3. 具备出色的雪崩能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 封装形式为TO-247，提供了良好的散热性能和机械稳定性。
5. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃)，适应多种恶劣环境条件。
A10V20BPLG68C主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器。
2. 工业电机驱动和伺服控制系统。
3. DC-DC转换器和逆变器模块。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统。
5. 可再生能源设备，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节单元。
6. 各类负载开关和保护电路设计。
A10V20BPLG67C, A12V25BPLG68C, IRF540N
