A1020BPG84C是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的沟槽式结构设计,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款芯片在高电流密度应用中表现出色,并且通过优化的封装设计,提升了散热性能,适合需要高效能功率管理的场合。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:20A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:35nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频开关电路,降低开关损耗。
3. 良好的热性能设计,确保长时间稳定运行。
4. 具备优异的雪崩耐量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 小型化封装,节省PCB空间同时提供更优的散热性能。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类DC-DC转换器及同步整流电路。
3. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
4. 汽车电子领域中的负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
A1020BPG84D, IRFZ44N, FDP177N60S