制造商：Ampleon
　　产品类型：RF Power Transistor
　　技术：LDMOS
　　工作频率范围：26 MHz 至 50 MHz
　　输出功率：24 W（典型值）
　　漏极电压（Vd）：50 V
　　漏极电流（Id）：0.2 A
　　增益：22 dB（典型值）
　　效率：70%（典型值）
　　输入驻波比（Input VSWR）：≤2.5:1
　　输出驻波比（Output VSWR）：≤10:1
　　封装类型：Ceramic Package (SOT502A)
　　热阻（Rth）：1.2 °C/W
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　工作结温范围：-40°C 至 +200°C

A024HA0.2A-E-W采用先进的LDMOS工艺技术，具备卓越的射频性能和可靠性，特别适用于中等功率射频放大需求。该器件在26 MHz至50 MHz频段内表现出高输出功率和高效率，能够在50V电源电压下提供稳定的24W输出功率，同时保持高达70%的漏极效率，显著降低功耗和散热负担。其高增益特性（典型22dB）减少了驱动级的设计难度，使得前级放大器可以更简单高效地实现信号激励。该晶体管在全负载失配条件下仍能安全运行，具备强大的抗失配能力，即使在输出端存在高达10:1 VSWR的情况下也不会发生损坏，极大提升了系统鲁棒性和现场应用的稳定性。
　　该器件采用陶瓷封装（SOT502A），具有优异的热传导性能和机械强度，确保在高温、高湿及振动环境下长期可靠运行。封装设计优化了源极与接地之间的电感，进一步提升了高频响应和稳定性。A024HA0.2A-E-W的输入阻抗经过内部初步匹配，大幅降低了外部匹配元件的数量和调谐复杂度，有利于缩短产品开发周期并提高生产一致性。此外，该晶体管支持连续波（CW）和脉冲操作模式，适用于多种调制方式的射频能量应用，如感应加热、等离子体生成和介质加热等工业场景。
　　在可靠性方面，A024HA0.2A-E-W经过严格的制造流程控制和老化测试，符合工业级质量标准，可在-40°C至+200°C的工作结温范围内稳定运行。其低热阻特性（1.2°C/W）配合适当的散热器可有效控制芯片温度，延长使用寿命。该器件还具备良好的ESD防护能力，并通过了多项国际认证，适用于对安全性要求较高的工业和医疗设备。总体而言，A024HA0.2A-E-W是一款性能优越、结构坚固且易于集成的射频功率晶体管，是中功率射频放大器设计的理想选择之一。

A024HA0.2A-E-W主要用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大器系统，典型工作频率为26 MHz至50 MHz。它广泛应用于射频能量领域，如感应加热设备、等离子体发生器、介质加热系统以及臭氧生成装置，这些应用依赖于高效率和高稳定性的射频源来实现能量转换。此外，该器件也适用于中功率级别的广播发射机、HF/VHF通信系统和专用无线电设备中的末级或驱动级放大器设计。
　　在工业自动化与智能制造领域，A024HA0.2A-E-W可用于驱动高频逆变器和射频电源模块，满足精密材料处理和表面处理工艺的需求。由于其具备良好的失配耐受能力和宽温度工作范围，因此特别适合部署在无人值守或恶劣环境下的远程通信基站或应急通信系统中。
　　该晶体管还可用于科研实验平台，例如粒子加速器前端激励器、核磁共振（NMR）探头驱动电路以及高能物理实验中的射频激励源。其高线性度和低互调失真特性使其在多载波或宽带信号放大场合中表现优异，能够支持复杂的调制格式传输。同时，在医疗设备中，如肿瘤热疗仪和射频消融设备，A024HA0.2A-E-W也能提供安全可靠的射频能量输出，保障治疗过程的精确控制与患者安全。

BLF188XR
　　MRF101AN
　　PD55003EL