类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：9 A（@ 25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：36 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85 Ω（@ Vgs = 10 V）
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（@ Vds = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：34 ns
　　最大功耗（Pd）：125 W（@ Tc = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

9NM65-S采用了安森美独有的超级结（Super Junction）技术，显著降低了导通电阻与输出电容之间的乘积（Rds(on) × Coss），从而大幅提升了器件的开关效率和功率密度。这种结构通过在P型和N型外延层之间形成精确掺杂的柱状结构，有效提高了击穿电压的同时减小了导通损耗。该MOSFET在650V额定电压下仍能保持低于1Ω的导通电阻，使得在中高功率应用中发热更少，有助于简化散热设计并提高整体系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为47nC（@ Vds = 400V, Id = 9A），这意味着驱动电路所需的能量较小，有利于实现高频开关操作而不会显著增加驱动损耗。此外，该器件具备优异的开关特性，包括快速的上升时间和下降时间，减少了开关过程中的交越损耗，特别适合用于硬开关拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振转换器。
　　另一个关键特性是其出色的抗雪崩能力和稳健的体二极管性能。在突发负载变化或线路浪涌情况下，9NM65-S能够承受一定的反向能量冲击而不损坏，提高了电源系统的可靠性和耐用性。其体二极管的反向恢复电荷（Qrr）较低，减少了反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有助于降低滤波元件成本并提升系统EMC性能。此外，TO-220F封装不仅提供了优良的热传导路径，还具备电气隔离功能，便于安装于散热片上，适用于对绝缘要求较高的离线式电源设计。该器件的工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，满足工业和商业应用的严苛环境需求。

9NM65-S主要用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高电压隔离和高效能转换的应用场景下表现优异。常见应用包括：通用AC-DC适配器和充电器，尤其是笔记本电脑、打印机和其他消费类电子设备的电源模块；LED恒流驱动电源，因其高效率和良好热稳定性，适合长时间工作的照明系统；工业开关电源（Industrial SMPS），如PLC电源单元、工控设备供电模块等；光伏逆变器中的DC-DC升压级或辅助电源部分；家用电器中的电机控制电路，例如空调、洗衣机中的PFC（功率因数校正）级开关管；此外，也广泛用于服务器电源、电信整流器和UPS不间断电源系统中的主开关器件或同步整流控制。由于其具备650V的高耐压能力，该MOSFET非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的离线式电源设计，在全电压范围内均能保持稳定可靠的开关性能。同时，其低导通电阻和快速开关特性使其在轻载和满载条件下都能维持较高的转换效率，符合能源之星和DoE Level VI等能效标准要求。对于需要紧凑设计和高功率密度的现代电源产品而言，9NM65-S提供了一个兼顾性能、可靠性和成本效益的理想解决方案。

[
　　 "FQP9N65C",
　　 "STP9NK65ZFP",
　　 "KSE992Y",
　　 "2SK3562",
　　 "SGM6N65T"
　　]