时间：2025/12/27 8:38:18
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9N90L-TF是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压MOS场效应晶体管，采用先进的高压制程技术制造，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性。该器件主要用于需要高效率和高可靠性的电源转换和功率控制应用中。9N90L-TF的封装形式为TO-220F或类似的通孔插件封装，便于在各种工业和消费类电子设备中进行散热安装。其主要特点包括高击穿电压、良好的热稳定性和优异的抗雪崩能力，适用于多种恶劣工作环境下的长期运行。
该MOSFET的最大漏源击穿电压（V_DS）为900V，能够承受瞬态高压脉冲，适合用于离线式开关电源、AC-DC转换器、LED照明驱动电源等高压应用场景。同时，器件具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少驱动损耗并提高系统整体能效。此外，9N90L-TF符合RoHS环保标准，属于无铅产品，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
型号：9N90L-TF
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（V_DS）：900V
最大连续漏极电流（I_D）：9A @ 25°C
最大脉冲漏极电流（I_DM）：36A
最大栅源电压（V_GS）：±30V
最大功耗（P_D）：125W
导通电阻（R_DS(on)）：典型值0.85Ω @ V_GS=10V, I_D=4.5A
阈值电压（V_GS(th)）：典型值5V（范围4V~6V）
工作结温范围（T_J）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（T_stg）：-55°C ~ +150°C
栅极电荷（Qg）：典型值60nC @ V_DS=720V, I_D=9A
输入电容（Ciss）：典型值1100pF @ V_DS=25V, f=1MHz
输出电容（Coss）：典型值180pF
反向恢复时间（trr）：无体二极管优化设计，适用于硬开关电路
9N90L-TF具备出色的高压阻断能力和稳定的电气性能，在高温和高电压条件下仍能保持可靠的开关操作。其高击穿电压（900V）设计使其能够在宽输入电压范围内工作，特别适用于全球通用电压输入的开关电源系统中，如85VAC至265VAC的全范围输入场景。这种耐压裕量不仅提升了系统的安全等级，还能有效防止因电网波动或雷击浪涌引起的器件损坏。
该器件采用了优化的元胞结构与栅极设计，显著降低了导通电阻R_DS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。这对于需要长时间连续运行的设备尤为重要，例如LED路灯电源、空调压缩机驱动模块以及工业电源系统。低R_DS(on)还意味着可以在相同电流负载下使用更小的散热器，进而缩小整机体积并降低成本。
9N90L-TF具有较低的栅极驱动需求，典型栅极电荷仅为60nC，这使得它能够与常见的PWM控制器良好匹配，降低驱动芯片的负担，并支持更高的开关频率运作。高频工作有利于减小变压器和滤波元件的尺寸，进一步提升电源的小型化水平。此外，其良好的热稳定性确保在结温变化时参数漂移较小，增强了系统动态响应的一致性。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在异常工况下提供一定的自我保护能力。虽然未明确标称雪崩能量等级，但其结构设计支持一定程度的能量吸收，适合应用于存在感性负载或突发短路风险的场合。TO-220F封装提供了优良的散热路径，可通过加装散热片将热量迅速传导至外部环境，保障长期工作的可靠性。
9N90L-TF广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于：LED恒流驱动电源、离线式AC-DC适配器、家用电器中的电机控制模块、PC电源供应器、工业控制电源、充电器与逆变器、电子镇流器以及光伏微逆系统等。由于其高耐压特性和较高的电流承载能力，特别适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）及LLC谐振变换器拓扑结构中作为主开关管使用。在LED照明领域，该器件可用于构建高效节能的隔离型降压或升降压拓扑，实现精准的电流调节与调光功能。同时，也适用于待机电源（Standby Power Supply）设计，以满足现代电子产品对低空载功耗和高能效等级的需求。其稳健的性能表现使其成为替代传统双极型晶体管或低耐压MOSFET的理想选择。
9N90C-TF, FQP9N90C, STP9NK90ZFP, KSE992TBU
