9N10 时间：2025/7/23 7:54:12 阅读：10

9N10 是一款常用的场效应管（MOSFET），广泛应用于电源管理、功率控制等领域。该器件具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适合于需要高效率和高性能的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：170A
　　导通电阻(Rds(on))：约5.5mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

特性

9N10 MOSFET具有较低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，降低了功率损耗并提高了系统效率。
　　该器件的高电流承载能力使其适用于各种高功率需求的电路，例如直流-直流转换器、电机驱动器和电池管理系统。
　　此外，9N10具备良好的热稳定性和耐用性，可以在极端温度条件下正常工作，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
　　其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸和成本。
　　封装形式通常为TO-220或TO-263，便于散热和安装。

应用

9N10常用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制、开关电源、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和电动水泵等应用。
　　同时，9N10也适用于高功率LED照明驱动电路和不间断电源（UPS）系统。