类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900 V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30 V
　　最大连续漏极电流(Id)：9 A
　　导通电阻(Rds(on))：0.85 Ω（最大值，Vgs=10V）
　　最大功率耗散(Pd)：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247 等

9D0N90F 具备多项优秀的电气特性，首先其高达 900V 的漏源击穿电压使其适用于高压电源系统，如工业电源和高电压 DC-DC 转换器。该器件的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.85Ω，这在高压 MOSFET 中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该 MOSFET 可承载高达 9A 的连续漏极电流，具备较强的电流处理能力，适用于需要高功率密度的设计。其最大功率耗散为 125W，支持在较高负载条件下稳定运行。该器件还具有良好的热稳定性，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适应各种恶劣的工作环境。
　　9D0N90F 的栅极驱动电压范围为 ±30V，具有较强的抗过压能力，同时其快速开关特性适合高频应用，有助于减小外围滤波元件的体积。该器件的封装形式包括 TO-220 和 TO-247，便于安装和散热管理。

9D0N90F 常用于工业电源、高压开关电源、太阳能逆变器、电机驱动器、DC-DC 转换器、UPS 系统以及智能电表等应用中。其高电压耐受能力和较低的导通电阻使其成为高压功率转换系统中理想的选择。由于其具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，也适用于需要长时间连续运行的工业控制设备和自动化系统。
　　此外，该器件也可用于电动汽车充电设备、电池管理系统（BMS）和储能系统中，作为关键的开关元件使用。其在高频开关应用中的表现优异，有助于提升系统效率并减小整体体积，是多种高功率、高电压应用中可靠的功率开关器件。

STW9NK90Z, FQA9N90C, 2SK2143