型号：95PFR140
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.6A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-16.8A
　　导通电阻RDS(on)：32mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：28mΩ（@VGS=-10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.3V
　　输入电容（Ciss）：830pF（@VDS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　安装方式：表面贴装（SMD）

95PFR140的核心特性之一是其采用先进的沟槽技术设计，这种结构优化了载流子流动路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。在VGS=-4.5V时，其典型RDS(on)仅为32mΩ，在更高栅压如-10V下可进一步降低至28mΩ，这使得它在低电压系统中仍能保持出色的导通性能，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件的P沟道特性允许其作为高端开关直接用于电源路径控制，无需复杂的自举电路或驱动机制，简化了电源架构的设计。同时，由于其支持-5.6A的连续漏极电流，并具备高达-16.8A的脉冲电流能力，能够应对瞬态负载变化，确保系统稳定运行。
　　另一个关键优势在于其优异的热性能。PowerPAK SO-8L封装去除了传统的引线框架，通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至PCB，有效降低热阻，提升散热效率。这一特性对于高密度集成板级设计尤为重要，有助于防止局部过热导致的性能下降或器件失效。
　　此外，95PFR140具有良好的栅极氧化层可靠性，能承受±12V的栅源电压，并内置一定程度的静电放电（ESD）保护，提升了在装配和运行过程中的鲁棒性。其阈值电压范围合理，避免了误触发问题，同时保证了与常见逻辑电平的良好兼容性。
　　总体而言，95PFR140结合了低导通电阻、高电流能力、优良热性能和紧凑封装等多项优点，是一款适用于现代高效电源管理系统的高性能P沟道MOSFET。

95PFR140常被用于各类需要高效电源开关控制的电子系统中。在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它被广泛用作电池电源的主开关或负载开关，实现对不同功能模块的上电/断电控制，以达到节能和延长电池寿命的目的。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是同步降压变换器的高端开关配置中，该器件可以替代传统N沟道MOSFET配合驱动电路使用的方案，简化设计复杂度，降低整体成本和元件数量。此外，它也适用于OR-ing二极管的替代应用，用于多电源输入选择电路，减少正向压降带来的功耗损失。
　　工业控制和通信设备中的电源管理系统同样受益于该器件的高性能表现，尤其是在需要快速响应负载变化和维持高效率的场景下。例如，在热插拔电路中，95PFR140可用于限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。
　　除此之外，该MOSFET还可应用于电机驱动、LED驱动电源、USB电源开关以及各种电池充电管理电路中。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大规模制造需求。凭借其可靠的电气特性和稳健的封装设计，95PFR140已成为许多工程师在中小型功率开关应用中的首选器件之一。

Si7611DP-T1-GE3
　　FDS6680A
　　NTR4101P