95HQ015 时间：2025/12/24 17:33:34 阅读：18

95HQ015 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。95HQ015 采用先进的沟槽栅技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其非常适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：15A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

95HQ015 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为 42mΩ，在高电流条件下可显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽栅结构技术，优化了开关性能，使得其在高频开关应用中表现出色，适用于现代电源管理中对高效率和小型化的要求。
　　此外，95HQ015 的封装形式为 PowerFLAT 5x6，这是一种小型无引脚封装，具有优异的热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，从而提升器件在高功率密度应用中的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
　　由于其低栅极电荷（Qg）和快速开关速度，95HQ015 在开关过程中可以减少能量损耗，提高整体系统效率，特别适合用于同步整流拓扑结构中的高边或低边开关。

应用

95HQ015 主要应用于各种高效率电源转换系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路等。
　　在服务器电源、电信设备电源、工业自动化系统以及消费类电子产品中，95HQ015 被广泛用作高边或低边开关，以实现高效的能量传输和控制。
　　此外，由于其良好的热稳定性和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、起停系统和电动助力转向控制单元等。
　　在需要高效率和高功率密度的设计中，95HQ015 是一种非常受欢迎的选择，尤其适合那些需要在高频率下运行的电源拓扑结构。