类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流：100A
　　最大漏极-源极电压：600V
　　导通电阻：0.045Ω
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　栅极电荷：200nC
　　短路耐受能力：有
　　功率耗散：300W

950DM芯片具有多个显著特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，它的高漏极-源极电压（600V）和大漏极电流（100A）能力使其非常适合用于高功率应用。此外，该芯片的导通电阻非常低（0.045Ω），这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
　　950DM采用了先进的硅技术，确保在高频率和高负载条件下的稳定运行。其TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到现有的电路设计中。此外，该芯片具有良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的保护功能。
　　该芯片的工作温度范围宽广（-55°C至175°C），使其适用于各种恶劣环境，包括工业控制、汽车电子和可再生能源系统。此外，其栅极电荷（200nC）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应速度。

950DM芯片广泛应用于多个领域，特别是在需要高效功率管理和高可靠性的系统中。常见的应用包括电机驱动器、直流-交流逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。此外，该芯片也常用于电动汽车的电源管理系统和电池充电器中。
　　由于其优异的导热性能和高功率处理能力，950DM在电源转换和能量管理领域具有显著优势。例如，在太阳能逆变器中，该芯片可以有效地将直流电转换为交流电，并确保系统的高效运行。在电机控制应用中，它可以提供精确的速度和扭矩控制，同时减少能耗和发热。
　　此外，950DM还被用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中，以提高电源系统的整体效率和稳定性。其高耐压能力和良好的热管理特性使其成为工业设备和汽车电子系统中的关键组件。

STP950DM, FQA950DM