9435A 时间：2025/12/29 13:09:42 阅读：23

9435A 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的双 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流能力，适用于高效率的功率转换和控制场景。

参数

类型：MOSFET（双N沟道）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8 双封装

特性

9435A MOSFET 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件支持高达 8A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
　　其采用的 PowerPAK SO-8 双封装技术不仅提供了优异的热性能，还减少了 PCB 占用空间，非常适合紧凑型设计。此外，9435A 的栅极驱动电压范围宽广（通常为 4.5V 至 20V），使其兼容多种控制器和驱动电路。
　　该 MOSFET 具备良好的热稳定性和短路保护能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其双 N 沟道结构设计允许在同步整流、H 桥驱动等应用中使用，提升了设计灵活性。
　　此外，9435A 在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。