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915055/BUK98150-55 发布时间 时间:2025/6/28 20:43:37 查看 阅读:22

BUK98150-55是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用场合。其设计旨在提供高效能的功率转换和控制功能。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏极电流:37A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:115nC(典型值)
  开关时间:ton=26ns,toff=38ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

BUK98150-55具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
  2. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的可靠性。
  3. 快速开关速度,适合高频开关应用。
  4. 热稳定性强,可在宽温度范围内可靠运行。
  5. 小巧的封装尺寸,便于PCB布局和散热管理。

应用

BUK98150-55广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
  2. 工业电机驱动和逆变器。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 不间断电源(UPS)系统。
  5. 各种需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP55N06L

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