时间：2025/6/28 20:43:37
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BUK98150-55是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用场合。其设计旨在提供高效能的功率转换和控制功能。
最大漏源电压：55V
最大连续漏极电流：37A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：115nC（典型值）
开关时间：ton=26ns，toff=38ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
BUK98150-55具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常条件下的可靠性。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
4. 热稳定性强，可在宽温度范围内可靠运行。
5. 小巧的封装尺寸，便于PCB布局和散热管理。
BUK98150-55广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 各种需要高效功率开关的应用场景。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP55N06L
