BUK98150-55是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用场合。其设计旨在提供高效能的功率转换和控制功能。
最大漏源电压:55V
最大连续漏极电流:37A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:115nC(典型值)
开关时间:ton=26ns,toff=38ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至175℃
BUK98150-55具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
2. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的可靠性。
3. 快速开关速度,适合高频开关应用。
4. 热稳定性强,可在宽温度范围内可靠运行。
5. 小巧的封装尺寸,便于PCB布局和散热管理。
BUK98150-55广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 不间断电源(UPS)系统。
5. 各种需要高效功率开关的应用场景。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP55N06L