时间：2025/4/29 10:04:41
阅读：2
90N03是一款N沟道增强型MOSFET（场效应晶体管），主要应用于低电压、小功率场景。该器件具有较低的导通电阻和较快的开关速度，适合用于电源管理、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该MOSFET采用SOT-23封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，便于在空间受限的电路设计中使用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
漏极电流：1.2A
导通电阻：0.75Ω（典型值，在Vgs=4.5V时）
功耗：340mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
90N03具有以下显著特性：
1. 低导通电阻使得其在导通状态下能够减少功耗并提高效率。
2. 较高的开关速度使其适合高频应用。
3. SOT-23封装使其易于安装，并适用于对空间要求较高的场合。
4. 宽泛的工作温度范围使其能够在多种环境条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
90N03广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和DC-DC转换器中的开关元件。
2. 各类电池供电设备中的负载开关。
3. 小功率电机驱动控制。
4. 保护电路如过流保护或短路保护。
5. 消费类电子产品及便携式设备中的电源管理模块。
AO3400
IRLML6401
FDC6360C
