型号：90N02L-TM3-T
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20 V
　　最大栅源电压(VGS)：±12 V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：90 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：360 A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 10V：2.2 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 4.5V：2.7 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 2.5V：4.0 mΩ
　　栅极电荷(Qg) @ 10V：33 nC
　　输入电容(Ciss)：3080 pF
　　输出电容(Coss)：1080 pF
　　反向恢复时间(trr)：14 ns
　　阈值电压(Vth)：0.6 V ~ 1.0 V
　　功耗(PD)：40 W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TDFN-8L (3.3mm x 3.3mm)
　　安装方式：表面贴装(SMD)

90N02L-TM3-T采用了AOS先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗，同时提高了器件的整体能效。其核心优势之一是极低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为2.2mΩ，在大电流应用场景下能够有效减少功率损耗并降低温升，从而提升系统的可靠性和寿命。该器件支持低至2.5V的驱动电压，在使用逻辑电平信号控制时依然保持良好的导通性能，使其兼容多种现代控制器输出电平，如DSP、MCU和专用电源管理IC。器件的Qg仅为33nC，意味着驱动电路所需提供的能量较小，有利于简化栅极驱动设计并提高开关频率。此外，较低的Ciss和Coss使得高频操作下的动态损耗大幅下降，特别适合用于高频率DC-DC变换器。
　　该MOSFET的TDFN-8L封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优良的散热能力，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层，实现高效热管理。这种封装形式也减少了寄生电感，尤其是在源极回路中，有助于抑制开关过程中的振铃现象，提高电磁兼容性(EMC)表现。器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和稳健的短路耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。此外，产品在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）均能稳定运行，满足工业级和部分汽车级应用的需求。
　　90N02L-TM3-T还具备出色的栅氧化层可靠性，经过严格的生产测试确保长期使用的稳定性。其符合RoHS指令且为无卤素产品，支持环保制造流程。在大批量生产中，器件具有一致的参数分布和高良率，便于自动化贴片和回流焊接。综合来看，这款MOSFET凭借其低RDS(on)、高速开关、紧凑封装和高可靠性，成为高性能电源系统中的理想选择，尤其适用于追求高密度集成和高转换效率的设计场景。

90N02L-TM3-T广泛应用于需要高效能、小尺寸和高电流处理能力的电源系统中。典型应用包括同步降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，能够在高频率下实现低损耗的能量转换，满足CPU、GPU和ASIC等高性能处理器的供电需求。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和超极本中，该器件常被用作电池电源开关或负载开关，利用其低导通电阻来最小化待机和工作状态下的功耗，延长电池续航时间。此外，在电动工具、无人机和移动储能设备的电池管理系统（BMS）中，90N02L-TM3-T可用于充放电路径的通断控制，提供快速响应和低发热特性。
　　在服务器和通信电源系统中，该MOSFET适用于POL（Point-of-Load）转换器设计，配合控制器实现高效的中间总线转换。由于其优异的热性能和紧凑封装，可在高密度PCB布局中实现更高的组件集成度。在LED驱动电路中，也可作为恒流开关元件，确保亮度稳定的同时降低系统温升。此外，该器件还可用于电机驱动、热插拔控制器、DC-DC模块电源以及各类适配器和充电器中。得益于其宽泛的工作温度范围和高可靠性，90N02L-TM3-T也能胜任部分工业控制和车载电子设备的应用环境。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有严苛要求的低压大电流开关应用，都是90N02L-TM3-T的理想适用领域。

AON6240
　　AOZ5238NQI
　　SiS452DN
　　FDMS7680