901919 是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于需要高电压和高电流的应用场景,如开关电源、电机控制和DC-DC转换器等。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提升系统性能。901919封装形式多为TO-220或TO-263,便于散热和安装,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):9A(连续)
导通电阻(Rds(on)):0.85Ω(最大)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220、TO-263等
最大功率耗散:50W
901919 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(600V Vds)确保了在高压环境下稳定运行,适用于各种电源转换器和电机控制电路。其次,该器件的导通电阻较低(最大0.85Ω),有效降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,901919支持较高的连续漏极电流(9A),使其适用于需要较大电流驱动的场景。在热管理方面,器件的封装设计具备良好的散热性能,能够在高功率工作条件下维持稳定温度。该器件还具备快速开关特性,减少开关损耗并提升响应速度,适用于高频开关应用。最后,其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了在恶劣环境下的可靠性,适用于工业自动化、电动车控制器及太阳能逆变器等应用。
901919 MOSFET广泛应用于需要高压和中等电流控制的电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和LED照明驱动电路。在工业控制领域,该器件可用于PLC(可编程逻辑控制器)和自动化设备中的功率开关。此外,901919也适用于电动车充电器、太阳能逆变器和家用电器中的电源管理模块。由于其高可靠性和良好的热稳定性,该器件也常用于汽车电子系统,如车载充电器和电动助力转向系统(EPS)中的功率控制模块。
IRF840, FQA9N60C, STP9NK60Z, 2SK2545