9001-12961C00A是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,从而实现高效的电力转换。此外,该芯片还具备良好的热稳定性和耐高压特性,使其能够适应各种复杂的工业应用场景。
类型:功率MOSFET
极性:N沟道
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):150W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
9001-12961C00A拥有卓越的电气性能,其低导通电阻可以有效减少功率损耗,提高整体效率。同时,该器件具备快速的开关响应时间,适用于高频应用环境。另外,它还设计有完善的保护机制,例如过流保护和热关断功能,确保在异常情况下不会损坏。此外,该芯片的封装形式坚固耐用,散热性能优良,适合长时间高负载运行。
以下是具体特点:
- 极低的导通电阻(Rds(on)),减少导通损耗。
- 高速开关能力,支持高频工作。
- 良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作。
- 内置多重保护功能,提升系统安全性。
- 符合RoHS标准,环保无毒。
该芯片适用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),用于高效能量转换。
2. 工业控制中的电机驱动电路。
3. 充电器模块,为电池提供稳定充电。
4. LED驱动器,精确调节亮度。
5. 太阳能逆变器,将直流电转化为交流电。
6. 各类DC-DC转换器和AC-DC转换器。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP057AN