类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管（独立）
　　封装：SIP-8（表面贴装）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IF(AV)）：1A（每二极管）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（@8.3ms, 半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.48V @ 1A（典型值），0.58V @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 40V（25°C），10mA @ 40V（125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约100°C/W（取决于PCB布局）
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于1ns（肖特基器件无少子存储效应）

8SS1012的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降。在1A电流下，其典型正向压降仅为0.48V，最大不超过0.58V，相比普通硅二极管（通常为0.7V以上）可大幅减少功率损耗，提高系统效率。这一特性在高电流密度或电池供电的应用中尤为重要，能够有效延长电池寿命并降低散热需求。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储与复合过程，因此其反向恢复时间极短，典型值小于1纳秒。这意味着在高频开关操作中几乎不会产生反向恢复电流尖峰，从而减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗，特别适合用于高频DC-DC转换器、同步整流替代方案以及高速开关电路。
　　8SS1012采用SIP-8封装形式，虽然外观类似集成电路，但内部为两个完全独立的肖特基二极管，用户可根据需要灵活配置为共阴极、共阳极或独立使用。这种封装方式不仅提供了良好的电气隔离性能，还具备较高的机械强度和焊接可靠性。引脚设计符合行业标准，便于在自动贴片生产线上进行组装，提升了制造效率。该器件具有出色的热稳定性，可在-55°C至+125°C的宽结温范围内正常工作，确保在高温或低温环境下仍能保持稳定的电气性能。同时，其最大反向漏电流在高温下控制在10mA以内，虽然相对较高，但在大多数应用中仍处于可接受范围。为了优化散热性能，建议在PCB布局时增加足够的铜箔面积以改善热传导。此外，8SS1012符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。其高可靠性和长期稳定性使其成为工业控制、通信电源和消费电子等领域中的理想选择。

8SS1012广泛应用于需要高效、快速整流的电子系统中。在DC-DC转换器中，它常被用作输出整流二极管，尤其是在非隔离型拓扑如降压（Buck）、升压（Boost）和反激（Flyback）电路中，凭借其低正向压降和快速响应特性，显著提升转换效率并降低温升。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中，8SS1012可用于电池充放电路径的极性保护和防反接电路，防止因电池误插或外部电源反接导致的设备损坏。此外，在通信设备的接口电路中，该器件可作为瞬态电压抑制辅助元件或信号整流单元，用于保护敏感的模拟前端电路免受反向电压冲击。
　　在工业自动化和控制系统中，8SS1012常用于PLC输入模块的信号调理电路中，实现对现场传感器信号的整流与钳位，确保输入信号的极性一致性。其快速响应能力也使其适用于高频脉冲整流场合，如编码器信号处理、开关电源反馈回路中的续流二极管等。在LED驱动电源中，该器件可用于次级侧整流，提高整体光效并减少发热。此外，由于其双二极管独立封装的结构特点，8SS1012还可用于构建全波整流桥的一半桥臂，配合其他元件组成完整的整流解决方案。在汽车电子领域，尽管其额定电压较低，但仍可用于车载信息娱乐系统的低压电源部分或辅助电源模块中。总之，8SS1012凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，已成为众多中低电压、中等电流应用场景中的优选二极管解决方案。

MBR140-7-F
　　SS14-S
　　SK14