型号：8NM70
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：70 V
　　最大连续漏极电流（Id）：8.0 A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：32 A
　　最大耗散功率（Ptot）：34 W
　　导通电阻（Rds(on)）：22 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 4 A
　　导通电阻（Rds(on)）：30 mΩ @ Vgs = 4.5 V, Id = 4 A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @ Vds = 50 V
　　输出电容（Coss）：340 pF @ Vds = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：26 ns
　　二极管正向电压（Vf）：1.2 V @ If = 0.5 A
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1 (SO-8FL)

8NM70具备出色的导通与开关特性，其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了整体电源系统的能效。在典型工作条件下，当栅极驱动电压为10V时，Rds(on)仅为22mΩ，这使得器件能够在大电流负载下保持较低的温升，提升系统可靠性。该MOSFET采用了英飞凌成熟的沟槽栅硅工艺，优化了载流子迁移路径，进一步减小了导通电阻并增强了电流处理能力。同时，其快速的开关响应时间减少了开关过程中的交越损耗，特别适合高频开关应用如同步整流和多相降压变换器。
　　器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为14nC（@Vgs=10V），这意味着所需的驱动功率较小，可配合低成本的驱动电路使用，降低整体系统成本。此外，8NM70的输入和输出电容经过精心匹配，有助于减少EMI干扰，提高系统的电磁兼容性表现。集成的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=26ns），有效抑制了反向恢复引起的电压尖峰，避免对其他元件造成应力损伤，尤其在硬开关拓扑中表现出更强的鲁棒性。
　　热性能方面，8NM70采用高导热封装材料，并结合底部散热焊盘设计，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，实现高效的热管理。即使在高功率密度应用场景中，也能维持稳定的结温，延长使用寿命。此外，器件具备优良的抗雪崩能力，能够承受一定程度的感性负载突变带来的能量冲击，增强了系统的故障容忍度。这些综合优势使8NM70成为现代高效电源设计中理想的中等功率开关器件选择。

8NM70广泛应用于各种需要高效、小型化功率开关的场合。常见用途包括但不限于：同步降压转换器中的上下桥臂开关，特别是在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电；非隔离式DC-DC变换器，如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑结构；电信设备中的分布式电源架构（Intermediate Bus Converter）；服务器和数据中心电源单元的次级侧整流与同步整流电路；LED恒流驱动电源中的开关控制；电池充电管理系统中的充放电通路控制；以及工业自动化设备中的电机驱动和负载开关模块。
　　由于其优异的热稳定性和电气性能，该器件也适用于车载信息娱乐系统、辅助电源系统等对可靠性要求较高的环境。此外，在便携式医疗设备、网络路由器、PoE（Power over Ethernet）受电设备中，8NM70凭借其小尺寸封装和高效率特性，能够帮助设计师实现更高的功率密度和更长的续航时间。在适配器、充电器等消费类电源产品中，它常被用于二次侧同步整流，以替代传统肖特基二极管，从而大幅提升转换效率并减少发热。总体而言，凡是需要在70V以下电压范围内实现高效、快速开关控制的应用，8NM70都是一个极具竞争力的选择。

IRF7473, FDS6680A, AOZ5232EQI, SI4403DY, BSC089N07LS