型号：8NM65A-FD
　　制造商：onsemi
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大漏极电流（Id）：8 A（TC=25°C）
　　连续漏极电流（Idc）：8 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：32 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.52 Ω（@ Vgs = 10 V, Id = 4 A）
　　栅极电荷（Qg）：95 nC（@ Vds = 480 V, Id = 8 A）
　　输入电容（Ciss）：2400 pF（@ Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（@ Vds = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：TO-247-3

8NM65A-FD的核心优势在于其采用的超级结结构，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，显著降低了器件在高击穿电压下的导通电阻，从而提升了整体效率。相比传统的平面型或沟槽型MOSFET，超级结技术使得8NM65A-FD在650V耐压等级下实现了更低的Rds(on)，有效减少了导通损耗，特别适合高频开关应用。该器件具备出色的开关特性，其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动损耗并提升系统开关频率，进而减小磁性元件体积，提高功率密度。同时，输出电容（Coss）较小，进一步减少了开关过程中的能量损耗，尤其在硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）和LLC谐振转换器中表现优异。
　　该MOSFET具备良好的热性能，TO-247-3封装提供了较大的焊接触点面积，有利于热量从芯片传导至散热器，确保在高负载条件下仍能维持稳定工作温度。器件的雪崩能量额定值较高，具备较强的抗电压冲击能力，适用于电网波动较大或存在感性负载的应用环境。此外，8NM65A-FD的阈值电压范围适中，避免了因驱动电压波动导致的误开通问题，提高了系统可靠性。其栅源电压最大可达±30V，增强了对驱动电路异常的容忍度。该器件还具备较低的反向恢复电荷（Qrr），可减少体二极管在反向恢复过程中产生的尖峰电流，降低EMI干扰，提升系统电磁兼容性。这些综合特性使其成为现代高效电源设计中的理想选择。

8NM65A-FD广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用场景包括连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路，尤其是在升压PFC拓扑中作为主开关器件，能够显著提升系统能效并满足能源之星等能效标准。在服务器电源、电信整流器和工业电源中，该器件用于主DC-DC转换级，支持高输入电压和高输出功率需求。此外，8NM65A-FD也适用于全桥、半桥和有源钳位反激等拓扑结构，在高频开关电源中表现出色。由于其优异的热稳定性和可靠性，该器件还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动车辆充电设备中的DC-DC转换模块。在照明电源领域，尤其是大功率LED驱动电源中，8NM65A-FD能够提供稳定的开关性能和低损耗，延长系统寿命。总体而言，该器件适用于所有要求高耐压、低损耗和高可靠性的中高功率开关电源设计。

STF6N65M5, FQP6N65S, KF6N65D, SIHF6N65D