类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A（在25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.0Ω（具体数值根据厂家和批次有所不同）
　　功率耗散(Pd)：50W（通常值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK、TO-252等

8N80K5具有以下显著特性：
　　首先，它具备高耐压能力，漏源电压最大可达800V，适用于高电压开关应用，例如电源适配器、AC-DC转换器和工业电源系统。
　　其次，该MOSFET具有良好的导通性能，导通电阻较低（通常在1.0Ω左右），有助于减少导通损耗，提高能效。
　　此外，8N80K5具备较高的栅极电压容限（±30V），增强了其在高频开关环境中的稳定性和可靠性。
　　其封装形式多样，包括TO-220、D2PAK、TO-252等，便于适配不同的PCB布局和散热需求。
　　8N80K5还具有良好的热稳定性，能够在高功率密度环境下保持稳定运行，适用于需要长时间工作的工业和自动化设备。
　　最后，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电源、PWM控制器和马达驱动电路，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。

8N80K5常用于以下应用场景：
　　1. **开关电源（SMPS）**：适用于AC-DC转换器、电源适配器、充电器等产品中，作为主开关或同步整流器。
　　2. **DC-DC转换器**：在升压、降压、反激式或正激式拓扑结构中用于高效率的电压调节。
　　3. **负载开关**：用于控制高电压或高电流负载的通断，如电机、LED照明和加热元件。
　　4. **马达控制**：在H桥驱动电路中作为功率开关，适用于风扇、泵、电动工具等设备。
　　5. **工业自动化设备**：用于继电器替代、PLC输出模块、工业电源模块等高可靠性场合。
　　6. **电池管理系统**：作为高侧或低侧开关，用于电池充放电控制和保护电路。
　　7. **家电产品**：如电磁炉、洗衣机、空调等，用于高电压功率控制。

8N80C5, 8N80L5, 8N90K5, STF8NM80, FQP8N80C