时间：2025/12/27 7:30:29
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8N70L-TF3-T是一款由Vishay Semiconductors生产的高压N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F封装形式。该器件专为高电压、高效率开关应用设计，适用于电源转换、DC-DC变换器、AC-DC适配器以及电机驱动等多种电力电子系统中。其额定漏源电压（VDS）高达700V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适合在工业级工作环境中稳定运行。该MOSFET具备低导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提升整体能效。同时，器件内部结构经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少开关过程中的能量损耗，提高高频开关性能。8N70L-TF3-T还集成了快速恢复体二极管，增强了在感性负载下的可靠性。该产品符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于对环保要求较高的终端设备。此外，TO-220F封装具备良好的热传导性能，可通过外接散热片有效散热，确保器件在高功率密度条件下长期可靠运行。
型号：8N70L-TF3-T
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：700 V
最大栅源电压（VGS）：±30 V
最大连续漏极电流（ID）：8 A
最大脉冲漏极电流（IDM）：32 A
最大功耗（PD）：125 W
导通电阻（RDS(on) max）：1.2 Ω @ VGS = 10 V
阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
输入电容（Ciss）：1100 pF @ VDS = 25 V
反向恢复时间（trr）：65 ns
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
封装形式：TO-220F
安装类型：通孔
