类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：700 V
　　最大漏极电流（Id）：0.38 A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值4.5 Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　输入电容（Ciss）：约330 pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约95 pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　反向恢复时间（trr）：典型值34 ns

8N70K-MTQ具备多项关键特性，使其在中高压开关应用中表现出色。首先，其700V的高漏源击穿电压确保了在宽输入电压范围下的安全裕度，尤其适用于全球通用输入的离线式开关电源设计。器件经过优化的漂移区结构有效降低了导通损耗，同时维持较高的击穿强度，提升了系统的长期运行稳定性。其次，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为18nC（@Vds=600V, Id=0.3A），这一特性显著减少了驱动电路的能量消耗，并支持更高的开关频率操作，从而允许使用更小的磁性元件和滤波电容，缩小整体电源体积。
　　另一个重要特性是其良好的热性能表现。TO-220AB封装具备较大的金属背板，便于安装散热器，有效传导结点热量至外部环境，使得器件能够在较高环境温度下持续运行。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，不仅提高了单位面积载流能力，也改善了跨导（gm）和开关速度的一致性。其反向恢复电荷（Qrr）较小，配合超快恢复体二极管，可减少与初级整流二极管之间的交叉导通损耗，提升轻载效率。
　　从可靠性角度看，8N70K-MTQ通过了严格的质量认证流程，包括高温高压栅极偏置测试（HTRB）、高温反向偏置测试（H3TRB）以及高温存储寿命测试（HTSL）。这些测试验证了器件在恶劣工况下的长期稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。内置的ESD保护结构进一步增强了生产装配过程中的抗静电能力，降低因人为操作导致的损坏风险。综合来看，8N70K-MTQ是一款兼顾高性能、高可靠性和环保要求的中功率高压MOSFET解决方案。

8N70K-MTQ主要应用于各类中低功率的隔离型和非隔离型开关电源系统。其典型应用场景包括手机、笔记本电脑及家用电器的AC-DC适配器与充电器，尤其是在待机功耗要求严格的能源之星或DoE VI标准合规设计中发挥重要作用。由于其700V耐压等级，该器件常用于反激式（Flyback）拓扑结构中作为主开关管，能够承受变压器原边产生的电压尖峰，避免击穿失效。在LED照明领域，无论是室内灯具还是户外路灯驱动电源，8N70K-MTQ都能提供稳定的开关性能，支持恒流输出控制，延长光源寿命。
　　此外，该器件也被广泛用于工业控制设备的辅助电源模块、智能电表电源单元以及小型逆变器系统中。在这些应用中，电源需长时间不间断运行，因此对元器件的可靠性和热管理提出了更高要求，而8N70K-MTQ凭借其稳健的设计和优良的热特性，能够满足此类严苛环境的需求。它还可用于电池充电管理系统（BMS）、太阳能微逆变器前端DC-DC变换器等新能源相关产品中，作为核心开关元件实现高效的能量转换。得益于其紧凑的TO-220AB封装，8N70K-MTQ也适用于空间受限但需要一定散热能力的设计场合，例如封闭式塑料外壳内的低功率电源板。
　　在设计层面，工程师可通过搭配专用PWM控制器（如OB2263、LD7575等）构建准谐振或固定频率反激电路，充分发挥8N70K-MTQ的低Qg优势以提高效率。同时，建议在PCB布局时合理布置地线与驱动回路，减少寄生电感影响，防止栅极振荡；并适当加入RC吸收电路或TVS钳位装置，以抑制关断瞬间的电压过冲，进一步提升系统安全性与EMI表现。

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　　 "AOTF8N70K",
　　 "STP8NK70ZFP",
　　 "FQP8N70L",
　　 "2SK3562"
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