8N65T 时间：2025/9/1 21:00:40 阅读：12

8N65T 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率控制电路中。该器件具有较高的电压和电流承受能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及负载开关等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：8A（最大）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.95Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：83W

特性

8N65T MOSFET具有多项优良的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，它具备高耐压特性，漏源电压高达650V，能够适应高压工作环境，确保在高输入电压下稳定运行。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.95Ω，在工作过程中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，8N65T的封装形式为TO-220，这种封装具有良好的散热性能和机械强度，适用于需要高可靠性的工业应用。其栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，方便与各种驱动电路兼容。
　　该器件还具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下保持正常工作，具有较强的抗过载能力。同时，MOSFET的开关速度快，响应时间短，适合高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统的效率。
　　综上所述，8N65T是一款性能稳定、可靠性高、适用于多种功率场合的MOSFET器件。