时间：2025/12/27 8:40:50
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8N50-MH2是一款由Power Integrations公司生产的高压MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源（SMPS）和其他高电压、中等功率的电力转换场合。该器件属于Power Integrations的TOPSwitch-HX系列扩展产品线的一部分，虽然其封装形式和引脚配置与TOPSwitch系列有所不同，但其设计目标一致：提供高度集成、高效率和高可靠性的离线式开关电源解决方案。8N50-MH2具备750V的漏源击穿电压（BVDSS），能够承受较高的输入电压波动，适用于全球通用输入电压范围（约85VAC至265VAC）的应用环境。该器件采用TO-220或类似通孔封装，便于散热并适用于多种PCB安装方式。8N50-MH2内部集成了多项保护功能，如过温保护、过流保护和前沿消隐（leading-edge blanking），以增强系统在异常工作条件下的鲁棒性。此外，该器件支持频率抖动技术以降低电磁干扰（EMI），从而简化滤波电路的设计并帮助满足国际EMI标准。由于其高度集成化的设计理念，8N50-MH2常用于替代传统分立式MOSFET与控制器组合的方案，从而减少外围元件数量、提高整体系统可靠性并降低生产成本。该芯片特别适合用于消费类电子产品中的低功率适配器、充电器、辅助电源以及工业控制设备中的小功率电源模块。
型号：8N50-MH2
制造商：Power Integrations
器件类型：高压MOSFET功率晶体管
最大漏源电压（VDS）：750 V
连续漏极电流（ID）：8 A（25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：32 A
导通电阻（RDS(on)）：典型值约1.2 Ω（具体值取决于测试条件）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V 至 4.0 V
最大功耗（PD）：50 W（带散热器）
工作结温范围（TJ）：-40°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220-7C 或类似7引脚通孔封装
输入电压兼容性：85–265 VAC 全范围
内置控制器类型：电流模式PWM控制器集成
开关频率：典型66 kHz 或 132 kHz（可编程）
保护功能：过载保护（OLP）、过温关断（OTP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）
8N50-MH2的核心优势在于其将高压MOSFET与先进的PWM控制电路集成于单一芯片内，实现了高度集成化的电源解决方案。这种集成不仅减少了外部元件的数量，还显著提高了系统的可靠性与稳定性。该器件采用多模式操作机制，在不同负载条件下自动切换工作模式，例如在满载时运行于连续导通模式（CCM），而在轻载或空载时切换至非连续导通模式（DCM）或突发模式（Burst Mode），从而大幅降低待机功耗，满足国际能效标准如Energy Star、EU CoC Tier 2等对低待机功耗的要求。其内置的软启动功能有效抑制了开机瞬间的电流冲击，延长了系统寿命并提升了安全性。
该芯片具备精确的电流检测机制，通过初级侧反馈实现输出电压的闭环调节，无需使用光耦和次级侧误差放大器，简化了隔离设计并降低了物料成本。同时，其前沿消隐电路可防止因开关瞬态引起的误触发，提升系统抗噪能力。频率抖动技术的应用使得EMI频谱展宽，避免能量集中在单一频率点，从而更容易通过FCC、CISPR等电磁兼容认证。
8N50-MH2还支持外部可调的限流点设置和线路欠压/过压保护阈值配置，增强了设计灵活性。其热关断电路具有迟滞特性，确保在温度恢复正常后自动重启，避免频繁重启导致系统不稳定。此外，该器件具备自动重启动功能，在发生故障时限制输出功率，防止损坏其他元器件。所有这些特性共同构成了一个安全、高效、低成本且易于设计的电源平台，非常适合用于对体积、成本和效率均有较高要求的应用场景。
8N50-MH2主要用于各种中小功率的离线式开关电源设计中，典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑的AC-DC充电器和电源适配器，输出功率通常在15W到65W之间。它也广泛用于家用电器中的辅助电源，如电视、音响、路由器、智能家居设备等产品的待机电源或主电源模块。在工业领域，该器件可用于PLC、传感器、继电器模块等设备的小型化电源设计。此外，由于其良好的EMI性能和高能效表现，8N50-MH2也被应用于医疗设备、办公自动化设备以及LED照明驱动电源中，特别是在需要符合严格安规和节能标准的产品中表现出色。由于其无需次级反馈回路的特点，特别适合设计紧凑型、低成本的隔离式反激变换器拓扑结构，是现代绿色电源设计的理想选择之一。
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