类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.0Ω（@ Vgs=10V, Id=4A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值600pF（@ Vds=50V）
　　输出电容（Coss）：典型值150pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或快速恢复型
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

8N100-LC具备多项优异的电气和热力学特性，使其在中高功率开关应用中表现突出。首先，其100V的漏源击穿电压能够满足大多数离线式电源的设计需求，例如在AC-DC适配器、LED驱动电源和电池充电器中，可以有效应对输入电压波动带来的冲击。同时，高达8A的连续漏极电流能力使其适用于驱动中等功率负载，如小型电机、电磁阀或加热元件。
　　该器件的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时典型值为1.0Ω，这一数值在同级别器件中处于合理范围，有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统整体效率。尽管相比一些超低Rds(on)的现代MOSFET略显逊色，但8N100-LC在成本与性能之间取得了良好平衡，适合对成本敏感的应用场景。
　　栅极电荷（Qg）较低，通常在30nC左右，这意味着驱动电路所需的功耗较小，尤其适用于由PWM控制器直接驱动的拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）或半桥变换器。此外，其输入电容较小，有利于减少开关过程中的延迟，提升高频工作的响应速度。
　　热性能方面，8N100-LC采用标准功率封装，可通过外接散热片有效传导热量，确保长时间运行时结温不会超过安全限值。其最大工作结温可达150°C，并具备良好的热稳定性，能够在恶劣环境下可靠运行。器件还具备一定的抗雪崩能力，在非理想工况下（如感性负载突然断开）仍能保持一定耐受性。
　　制造工艺上，8N100-LC基于成熟的平面栅技术，相较于沟槽型MOSFET虽然在Rds(on)上不占优势，但具有更高的可靠性和更稳定的开关行为，减少了寄生振荡和栅极氧化层击穿的风险。这使得它在工业级应用中更具鲁棒性。

8N100-LC广泛应用于各类中等功率电力电子系统中。最常见的用途是作为主开关管出现在反激式或正激式开关电源中，特别是在输出功率在50W至200W之间的AC-DC转换器中。它可被用于笔记本电脑适配器、显示器电源模块、家用电器内置电源等产品中，承担能量传递和电压调节的核心功能。
　　在DC-DC转换器中，8N100-LC可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑结构，尤其是在输入电压为24V或48V的工业控制系统中，作为高效开关元件实现稳压输出。其快速开关能力和适度的导通损耗使其在这些应用中表现出良好的动态响应和转换效率。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路，特别是直流有刷电机的H桥驱动方案中，作为桥臂上的开关管控制电机转向和转速。由于其能够承受较大的瞬态电流，因此在启停或堵转情况下仍能保持稳定工作。
　　在照明领域，8N100-LC可用于LED恒流驱动电源中，通过PWM调光方式精确控制LED亮度。其耐压能力足以支持多串LED灯珠的串联配置，适用于商业照明或户外灯具。
　　其他应用还包括逆变电源、UPS不间断电源、电焊机控制模块、电磁继电器驱动电路以及太阳能充放电控制器等。由于其封装标准化程度高，易于替换和维修，因此在售后市场和替代器件选型中也具有较高通用性。

IRF540N
　　STP8NK100Z
　　FQP10N10
　　TK10A100U