8M05BG 时间：2025/5/13 10:26:02 阅读：8

8M05BG是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低能耗。
　　8M05BG属于N沟道增强型MOSFET，其耐压范围为80V，非常适合中低压应用环境。此外，该产品采用小型化封装设计，有助于节省电路板空间，同时支持高频率工作需求。

参数

最大漏源电压：80V
　　连续漏极电流：5.4A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：15nC
　　输入电容：1250pF
　　总电容：320pF
　　反向传输电容：70pF
　　开关时间：典型值6ns
　　工作结温范围：-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关性能使其适用于高频电路设计，减少电磁干扰问题。
　　3. 具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　4. 小型化的封装形式减少了PCB布局难度，适合紧凑型设计。
　　5. 高可靠性设计确保长期使用中的稳定性和安全性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。