时间：2025/7/16 9:06:59
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8D7U17J13BN 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，通常用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高效率并降低能耗。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效率和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：13A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=13ns, toff=19ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
8D7U17J13BN 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，并提升整体系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 较高的雪崩击穿能力和强鲁棒性，能够在恶劣条件下稳定工作。
4. 小尺寸封装，便于在紧凑设计中使用。
5. 支持大电流操作，满足工业级及汽车级需求。
6. 优异的热性能表现，确保长期可靠性。
这款功率 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统，如电池管理系统（BMS）、引擎控制单元（ECU）和电动助力转向系统（EPS）。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
IRF7738, AO3400A, FDP5500
