85K1DHH 时间：2025/12/24 3:05:39 阅读：11

85K1DHH是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等特点。其封装形式通常为TO-220或TO-252，具体取决于制造商的FET在设计上注重降低功耗和提高系统可靠性，适用于需要高效能和稳定性的应用场合。

参数

类型：N沟道增强型
　　最大漏源电压Vds：60V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流Id：30A
　　导通电阻Rds(on)：4mΩ
　　总功耗Ptot：175W
　　工作结温范围Tj：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-220, TO-252

特性

85K1DHH的主要特点是具备非常低的导通电阻（4mΩ），这使其在高电流应用中能够显著降低功耗并提高效率。
　　此外，该芯片还具有快速开关速度，可以减少开关损耗，并且支持较高的工作温度范围（-55℃到+175℃），适应各种恶劣环境下的应用需求。
　　其优异的热性能和坚固的设计确保了长期使用中的可靠性和稳定性。同时，85K1DHH也符合RoHS标准，满足环保要求。

应用

85K1DHH主要应用于开关电源适配器、不间断电源(UPS)、电池充电器、电机控制器以及各类DC-DC转换电路。
　　在工业领域，它可用于变频器和伺服驱动器等设备；在汽车电子中，该芯片适合用于启动马达控制、车载充电器和其他大电流负载管理场景。
　　由于其高效的能源转换能力，85K1DHH也是绿色节能产品设计的理想选择。