型号：85HFR40
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大漏极电流（Id）：85A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约2.3mΩ @ Vgs=10V, Id=40A
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：约160nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约4000pF
　　输出电容（Coss）：约900pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管快速恢复要求）
　　最大功耗（Ptot）：约200W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220FP 或类似功率封装

85HFR40的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下可低至约2.3mΩ，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。该特性使其特别适合用于同步整流、DC-DC降压变换器以及电池供电系统的功率开关中。此外，低Rds(on)也有助于减少发热，延长器件寿命并降低对散热系统的要求。
　　另一个关键特性是其高电流承载能力。该MOSFET可在连续工作条件下承受高达85A的漏极电流，并能在短时间内承受更高的脉冲电流，满足瞬态负载变化的需求。这一能力得益于其优化的芯片结构和封装设计，确保了良好的电流分布和热传导性能。
　　85HFR40具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这有助于缩短开关时间，减少开关过程中的能量损耗，尤其在高频开关电源应用中表现突出。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化，能够在保证快速响应的同时避免过大的驱动电流需求。
　　该器件还具有宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），表现出优异的热稳定性，可在严苛的环境条件下稳定运行。其内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，虽然并非专为快速恢复设计，但在多数通用开关应用中仍能满足基本需求。
　　最后，TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还便于安装散热片，进一步增强了其在高功率密度设计中的适用性。综合这些特性，85HFR40成为中低压大电流功率开关应用中的优选器件。

85HFR40主要应用于需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。最常见的用途之一是作为同步整流器在DC-DC降压转换器（Buck Converter）中使用，尤其是在服务器电源、笔记本电脑适配器和通信设备电源模块中。在这些应用中，其低导通电阻和高电流能力显著提升了转换效率，减少了能量损耗。
　　此外，该器件也广泛用于电机驱动电路，如直流电机或步进电机的H桥驱动，能够实现快速开关和精确控制，同时承受较高的启动电流冲击。其高耐流能力和热稳定性使其在工业自动化设备和电动工具中表现出色。
　　在电池管理系统（BMS）和负载开关应用中，85HFR40可用于主功率路径的通断控制，实现低损耗的电源切换和过流保护功能。其快速响应特性和低静态功耗非常适合便携式设备和电动汽车中的电源管理单元。
　　该MOSFET还可用于逆变器、UPS不间断电源以及太阳能充电控制器等功率转换设备中，作为主开关元件或旁路开关使用。其坚固的封装和宽温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、照明控制和辅助电源模块。
　　总之，85HFR40凭借其出色的电气性能和可靠性，已成为多种中高功率应用场景中的主流选择，尤其适合追求高效率与紧凑设计的现代电子系统。

STP85NF40Z
　　IRF3205
　　IPW50R40C6