型号：84WR50K
　　标称阻值：50 kΩ
　　阻值公差：±0.01%
　　温度系数（TCR）：±0.05 ppm/°C（0°C 至 +50°C）
　　功率额定值：0.25 W（+70°C 时）
　　最大工作电压：350 V
　　噪声水平：-40 dB（典型值）
　　热电动势：<0.1 μV/°C
　　负载寿命稳定性：±0.005%（1000 小时，额定功率）
　　湿度负荷稳定性：±0.02%（96 小时，85% RH，40°C）
　　频率响应：直流至 >1 MHz（寄生电感 <0.08 μH，寄生电容 <0.2 pF）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　封装类型：轴向引线陶瓷基板
　　尺寸：约 8.5 mm × 4.5 mm × 16 mm（含引线）
　　重量：约 0.3 g

84WR50K 的核心特性在于其采用了 Vishay 独有的 Z-Foil 金属箔电阻技术，这项技术通过在绝缘陶瓷基板上粘贴极薄的镍铬合金箔（厚度约为几微米），并利用激光修调工艺实现超高精度的阻值设定。由于材料本身的均匀性和制造过程的高度可控性，该电阻展现出近乎理想的电气性能。其温度系数低至 ±0.05 ppm/°C，在整个工作温度范围内几乎不会因环境温度波动而导致阻值发生可测的变化，这对于需要长时间稳定运行且不允许校准的应用至关重要。此外，该器件具备极佳的长期稳定性，经过 1000 小时满功率负载测试后阻值变化不超过 ±0.005%，远优于传统薄膜或绕线电阻。
　　另一个突出特点是其卓越的动态响应能力。84WR50K 在承受快速瞬态电流或电压脉冲时表现出极小的非弹性响应，这意味着即使在开关电源、ADC/DAC 缓冲电路或高精度电流传感等存在频繁突变信号的场景下，也不会引入明显的误差或延迟。同时，其寄生电感低于 0.08 μH，寄生电容小于 0.2 pF，使其能够在高达数兆赫兹的频率下仍保持纯阻性行为，避免相位失真和信号反射问题。
　　热电动势方面，84WR50K 控制在 0.1 μV/°C 以下，有效防止了不同金属接触点之间因温差产生的微小电压干扰，这对毫伏级信号测量系统尤为重要。此外，该电阻具备良好的防潮、抗氧化和抗机械应力能力，符合 MIL-PRF-55342 等军用标准要求，适合部署于恶劣环境中。其四端子设计支持开尔文连接，消除了测试引线电阻带来的测量偏差，确保实际使用中达到标称精度水平。综上所述，84WR50K 凭借其多项顶级性能指标，成为高端模拟电路中不可或缺的关键元件。

84WR50K 被广泛应用于对精度、稳定性和可靠性要求极为严苛的电子系统中。在精密测量仪器领域，如数字万用表（DMM）、标准电压/电流源、LCR 测试仪和校准设备中，它常被用作基准电阻或反馈网络的一部分，确保测量结果的高度准确性与重复性。在医疗电子设备中，例如高端心电图机（ECG）、脑电图（EEG）放大器和病人监护仪，该电阻用于前端信号调理电路，帮助维持微弱生物电信号的保真度，避免因阻值漂移造成诊断误差。
　　在工业自动化与过程控制领域，84WR50K 经常出现在高精度传感器信号调理模块、PLC 模拟输入输出卡、称重系统和流量计中，特别是在需要将微安级电流信号（如 4-20 mA）转换为电压进行处理时，作为负载电阻使用，其低温度系数和高稳定性可保证长期运行中无需频繁校准。在音频工程方面，专业级录音设备、母带处理系统和高保真音响中也采用此类电阻来构建无失真的增益级和滤波网络，提升音质纯净度。
　　此外，在航空航天与国防系统中，如雷达信号处理单元、惯性导航系统和卫星通信终端，84WR50K 因其耐极端温度变化、抗振动和高可靠性而被选用于关键信号链路中。它同样适用于高分辨率数据采集系统（DAQ）、精密电源管理电路以及量子计算实验装置中的偏置控制回路。总之，任何需要“一次设定、终生可靠”的电阻应用场景，都是 84WR50K 的用武之地。

Vishay WSLP50K000FEET
　　Vishay VSMP1218 50K
　　Vishay MST50K0000FB