型号：82C11G-AE3-5-R
　　制造商：Renesas Electronics (原 IDT)
　　类型：时钟缓冲器
　　输入类型：LVCMOS
　　输出类型：LVCMOS
　　输出数量：6
　　工作电压范围：3.3V ± 0.3V (3.0V 至 3.6V)
　　最大工作频率：166 MHz
　　传播延迟典型值：4.5 ns
　　输出间偏斜（Skew）最大值：150 ps
　　上升/下降时间（典型）：2.5 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOIC-8
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　电源电流典型值：12 mA
　　静态功耗典型值：40 mW

82C11G-AE3-5-R 具备卓越的电气特性和时序性能，确保在复杂电磁环境下仍能提供稳定的时钟分发能力。其核心特性之一是极低的输出间偏斜（Output Skew），最大仅为 150 ps，这意味着六个输出通道之间的时钟信号差异非常小，能够有效保障多路同步系统的时序一致性，尤其适用于高速数据采集系统或并行处理器架构中需要精确同步的应用场景。
　　该器件采用优化的内部驱动结构，在保证快速上升和下降时间（约 2.5 ns）的同时，抑制了过冲和振铃现象，提升了信号完整性。其传播延迟典型值为 4.5 ns，并在整个工作温度和电压范围内保持高度稳定，有助于系统设计师进行精确的时序预算分析。
　　82C11G-AE3-5-R 支持 3.3V 单电源供电，兼容标准 LVCMOS 电平，可直接与 FPGA、ASIC、微控制器、DSP 等主流逻辑器件接口连接，无需额外的电平转换电路。其输入端具有高输入阻抗和施密特触发设计，增强了对噪声的容忍度，即使在存在一定程度的输入信号畸变或边沿缓慢的情况下，也能正确识别时钟边沿，防止误触发。
　　为了适应工业级应用需求，该芯片可在 -40°C 到 +85°C 的宽温度范围内正常工作，且所有关键参数均经过在此温度区间内的严格测试验证。此外，SOIC-8 封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。
　　该器件无内部 PLL（锁相环），属于纯扇出缓冲器（Fanout Buffer），因此不会引入额外的相位噪声或锁定时间延迟，特别适合那些要求低抖动、零漂移累积的参考时钟分配任务。整体设计注重可靠性与易用性，是构建稳健时钟树结构的理想选择之一。

82C11G-AE3-5-R 被广泛应用于各类需要高精度时钟分发的电子系统中。在通信基础设施领域，它常用于路由器、交换机和无线基站中的主控板时钟分配单元，将来自晶体振荡器或时钟发生器的基准时钟信号同步分送到多个处理模块，如网络处理器、FPGA 和 PHY 层芯片，确保整个系统各部分工作节拍一致。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及运动控制卡中，作为中央时钟缓冲器，协调多个 I/O 模块或伺服驱动器的采样与执行时序。
　　测试与测量仪器，如示波器、逻辑分析仪和信号发生器，也依赖此类低偏斜缓冲器来维持内部多通道同步采集的准确性。82C11G-AE3-5-R 可用于将主时钟分频后送至不同功能模块，避免因布线长度不一所导致的时钟到达时间差异。
　　此外，在嵌入式计算平台、工控机主板以及军用/航空电子设备中，该器件用于构建可靠的时钟树架构，提升系统的整体稳定性与抗干扰能力。由于其支持工业级温度范围和低功耗特性，也适用于户外设备或无人值守远程终端等恶劣环境下的长期运行场景。
　　在一些高端消费类电子产品中，尤其是涉及音视频同步处理或多核协同工作的设备中，82C11G-AE3-5-R 同样可以发挥其精准时钟分发的优势，保障系统内部各子系统之间的时间一致性。

82C11G-AE3-F