类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压：40V
　　集电极-基极击穿电压：50V
　　发射极-基极击穿电压：6V
　　集电极连续电流：1.5A
　　峰值集电极电流：3A
　　直流电流增益hFE：40 - 200
　　过渡频率fT：150MHz
　　功耗：1.25W
　　工作结温：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

82B715T晶体管具备出色的电气特性和可靠性，能够在高频和高电流条件下稳定工作。其典型的直流电流增益（hFE）范围为40至200，这使得它在不同的偏置条件下都能提供稳定的放大能力，适用于各种线性放大电路，如音频前置放大器或信号调理电路。该器件的过渡频率（fT）高达150MHz，表明其具有良好的高频响应能力，能够胜任中频范围内的开关和放大任务。
　　该晶体管的集电极连续电流可达1.5A，峰值电流支持3A，使其适合驱动中等功率负载，例如小型继电器、LED阵列或直流电机。同时，其集电极-发射极击穿电压为40V，允许其在12V或24V系统中安全使用，常见于工业控制板和电源管理模块中。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装散热片，从而有效延长器件寿命并提升系统稳定性。
　　82B715T的热性能表现优异，最大功耗为1.25W，在适当的散热条件下可长时间运行而不发生热失效。其宽工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于极端温度环境，包括户外设备和车载电子系统。此外，该器件具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在1V以下，有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体能效。
　　在制造工艺方面，82B715T采用先进的硅外延技术，确保了批次间的一致性和长期使用的可靠性。其符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，适用于环保型电子产品设计。该晶体管还具备一定的抗静电能力和瞬态过压保护能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。综合来看，82B715T是一款性能均衡、应用广泛的中功率NPN晶体管，适合多种模拟与数字电路设计需求。

82B715T广泛应用于各类中等功率电子系统中，尤其适合作为开关或放大元件使用。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的驱动级、稳压电路中的调整管或过流保护模块的传感开关。由于其具备较高的电流增益和快速的开关响应能力，该器件在脉冲宽度调制（PWM）控制电路中表现出色，可用于调节电机转速或LED亮度。
　　在工业自动化领域，82B715T被大量用于PLC输出模块中，作为继电器或固态继电器的驱动晶体管，实现微控制器与高功率执行机构之间的电气隔离与信号放大。其高电流输出能力使其能够直接驱动电磁阀、接触器线圈或其他机电组件，提升了系统的集成度和响应速度。
　　在消费类电子产品中，该晶体管可用于音响设备的音频输出级、电视机或显示器的扫描驱动电路，以及家用电器中的电机控制单元。此外，在汽车电子系统中，82B715T可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制电路或风扇调速器等应用场景，凭借其宽温域和高可靠性满足车载环境的严苛要求。
　　教育和研发领域也常选用82B715T作为教学实验和原型开发的核心元器件，因其参数明确、易于获取且价格低廉，非常适合初学者理解BJT的工作原理和实际应用。总之，82B715T凭借其通用性强、性能稳定的特点，在多个行业中发挥着重要作用。

MJE13005
　　MJE13003
　　TIP41C