制造商：Intersil
　　封装类型：DIP-40
　　工作电压：+5V ±10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　输入电平兼容性：TTL/CMOS
　　最大时钟频率：4 MHz
　　地址总线宽度支持：14位（可扩展）
　　数据总线宽度：8位
　　控制信号输出：RAS0, RAS1, CAS, WE, OE
　　刷新模式：固定间隔或外部触发
　　定时控制：可编程行/列时序
　　封装引脚数：40
　　功耗典型值：150 mW

8275芯片的核心特性之一是其高度集成的DRAM接口管理能力，能够在无需复杂外围电路的情况下实现对动态存储器的有效控制。该器件通过内部状态机自动处理地址多路复用过程，将来自微处理器的单一地址总线分解为行地址和列地址，并分别生成相应的RAS和CAS控制信号。这种自动化机制显著降低了系统设计的复杂性，使得开发人员可以更专注于应用逻辑而非底层内存时序。
　　另一个关键特性是其灵活的刷新控制功能。由于DRAM单元依赖电容存储电荷，必须定期刷新以防止数据丢失。8275内置了可配置的刷新计数器，支持多种刷新模式，包括固定时间间隔刷新和由外部信号触发的刷新。用户可以通过编程设置刷新周期，通常可在每几微秒到数百微秒之间调节，以适应不同类型DRAM芯片的需求。这一特性确保了系统的稳定运行，特别是在长时间连续工作的工业环境中。
　　此外，8275提供了良好的微处理器接口兼容性，支持与多种8位CPU直接连接，例如Z80、8085等。它能够识别标准的读写控制信号，并根据当前操作类型生成正确的DRAM控制序列。同时，芯片允许通过编程配置不同的时序参数，如RAS前置时间、CAS延迟等，以便适配不同速度等级的DRAM颗粒。
　　该器件还具备错误检测与状态反馈机制，部分型号可通过状态引脚报告刷新异常或地址冲突情况，有助于系统调试与故障排查。虽然8275不具备现代内存控制器的高带宽或双通道并发访问能力，但其简洁的设计、可靠的性能和较低的成本使其在特定应用场景中依然具有实用价值。

8275主要用于需要外接DRAM且要求成本控制的嵌入式系统或早期微型计算机中。典型应用包括基于Z80或8085处理器的教学实验平台、工业控制终端、智能仪表以及老式图形显示控制器。在这些系统中，主控CPU通常不集成内存管理单元（MMU）或DRAM控制器，因此需要像8275这样的专用芯片来完成地址多路复用和刷新任务。
　　在视频显示系统中，8275也常被用于构建帧缓冲器（frame buffer）。由于图像数据量较大且需持续刷新屏幕，使用DRAM作为显存是一种经济高效的方案。8275能够协调CPU对显存的访问与视频扫描电路对同一存储区域的读取操作，避免访问冲突，并保证图像显示的稳定性。
　　此外，在通信设备和数据采集系统中，8275可用于构建大容量数据缓存区，临时存储传感器数据或通信报文。其自动刷新功能减少了主处理器的干预需求，提升了系统整体效率。
　　目前，尽管新型系统多采用SRAM或集成了内存控制器的MCU，但在维护老旧设备、复刻经典计算机（如CP/M系统）或进行数字电路教学时，8275仍然是重要的参考器件。它帮助学生理解DRAM工作原理、总线时序控制及硬件协同设计的基本概念，具有较高的教育意义。

82S100
　　MK4895
　　WD2010