制造商：Electronic Solutions Inc. (ESI)
　　类型：晶体振荡器（XO）
　　输出波形：CMOS 或 TTL（具体取决于配置）
　　标称频率：根据客户定制，典型范围为 1 MHz 至 100 MHz
　　频率稳定性：±5 ppm 至 ±20 ppm（全温度范围）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电源电压：+5V ±5% 或 +3.3V（依版本而定）
　　封装形式：密封金属 DIP 或 SMD 封装
　　老化率：≤±3 ppm/年
　　启动时间：≤5 ms
　　相位噪声：@1 kHz offset: -150 dBc/Hz（典型值）
　　抗振性：±0.1 ppm g = 20g
　　冲击耐受：50g, 11 ms 半正弦波

8209-7009 晶体振荡器的核心特性在于其卓越的环境适应性和长期频率稳定性，这使其成为军用与航天级应用的理想选择。该器件采用高品质石英晶体谐振器，并通过精密温控补偿技术或恒温控制设计（视具体子型号而定），有效抑制温度变化引起的频率漂移。其全密封金属封装不仅防止湿气、灰尘和化学腐蚀侵入，还提供优异的电磁屏蔽性能，避免外部干扰影响振荡信号的纯净度。在极端温度条件下，该振荡器仍能保持极低的相位抖动和稳定的输出幅度，确保下游数字逻辑电路如FPGA、DSP和高速ADC/DAC的同步时钟精度不受影响。
　　该器件具有极高的抗机械应力能力，经过严格的振动、冲击和加速度测试，符合MIL-PRF-55310和MIL-STD-883标准的相关要求，适用于机载、舰载和车载平台。其老化率控制在每年不超过±3 ppm，意味着在整个生命周期内无需频繁校准或更换，显著提升系统的可维护性和可用性。此外，8209-7009 支持多种输出逻辑电平（如CMOS、TTL、LVDS等，依具体配置而定），并可根据用户需求定制启动时间、上升/下降时间和占空比，从而灵活适配不同的系统架构。内置的过压保护和反向极性防护电路进一步增强了其在现场复杂供电环境下的鲁棒性。最后，该器件在生产过程中执行100%筛选和测试流程，包括高温老化（Burn-in）、细检漏和粗检漏试验，确保每一件出厂产品都达到宇航级质量水准，是高可靠性嵌入式系统中不可或缺的时钟源组件。

8209-7009 被广泛应用于对时钟精度和系统可靠性要求极为严苛的领域。在军事通信系统中，它作为主时钟源为战术电台、跳频设备和数据链路提供精准同步信号，保障信息传输的完整性与时效性。在雷达和电子战系统中，该振荡器用于生成本振信号或采样时钟，直接影响目标探测分辨率和抗干扰能力。航空航天领域中，该器件被集成于飞行控制系统、惯性导航模块和卫星遥测单元，确保在高空低温或再入大气层高温环境下依然维持稳定运行。此外，在高端测试测量设备如频谱分析仪、网络分析仪和高精度示波器中，8209-7009 提供低相噪、低抖动的参考时钟，提升仪器的测量准确度和重复性。工业自动化和深井勘探设备也常采用此类高稳定性振荡器，以应对长期野外作业和宽温变化带来的挑战。由于其符合军规制造标准，该器件同样适用于核设施监控系统、水下无人航行器和战略级加密装置等关键基础设施。总之，凡是需要在极端物理环境和长时间连续工作中保持精确计时功能的场合，8209-7009 都是一种值得信赖的高性能时钟解决方案。