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820512311 发布时间 时间:2025/12/30 11:13:00 查看 阅读:10

820512311是一款双MOS场效应管(Dual MOSFET),通常用于高频率开关和功率控制应用。该器件采用CMOS工艺制造,内部包含两个独立的MOSFET晶体管,适用于需要高效能和低功耗的设计场景。820512311广泛应用于电源管理、马达驱动、负载开关以及电池供电设备中,其封装形式通常为SOP(小外形封装)或TSSOP,具有良好的散热性能和可靠性。

参数

类型:双MOSFET
  工艺技术:CMOS
  封装类型:SOP/TSSOP
  最大漏极电流:根据具体型号而定
  最大漏极电压:根据具体型号而定
  导通电阻:根据具体型号而定
  工作温度范围:-40°C至+150°C

特性

820512311的主要特性包括高效能的双MOSFET结构、低导通电阻(Rds(on)),以及适用于高频率操作的快速开关能力。该器件设计用于减少功率损耗,提高系统效率,并在紧凑空间内提供可靠的性能。820512311具有良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于各种恶劣工作环境。此外,该器件的CMOS工艺使其具备较低的静态电流消耗,有助于延长电池供电设备的使用寿命。由于其双MOSFET的配置,820512311可以用于同步整流、双向负载控制以及H桥驱动等复杂应用。

应用

820512311通常用于电源管理系统、马达驱动器、负载开关、电池保护电路以及各种需要高效功率控制的电子设备。该器件特别适合用于便携式电子产品、智能电表、工业控制系统以及汽车电子应用中,提供稳定可靠的功率管理解决方案。

替代型号

820512312, 820512313

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820512311参数

  • 制造商Wurth Electronics
  • 产品种类压敏电阻
  • 电压额定值 DC300 V
  • 钳位电压595 V
  • 电容230 pF
  • 封装Reel
  • 尺寸10 mm Dia.