时间：2025/5/21 17:29:00
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81C25G-Q-AE3-5-R 是一款高速、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），广泛应用于需要高性能数据缓存和临时存储的场景。该器件具有快速访问时间、高可靠性以及较低的功耗特点，适用于通信设备、工业控制、医疗仪器以及其他对速度和稳定性要求较高的领域。
容量：2 Mbit
组织方式：262,144 x 8
内核电压：1.7 V 至 1.9 V
I/O 电压：1.7 V 至 1.9 V
访问时间：5 ns
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：TQFP-48
引脚数：48
81C25G-Q-AE3-5-R 是一种高速 SRAM 芯片，其主要特性包括：
1. 快速访问时间：支持高达 5 ns 的访问速度，可满足高性能处理器的数据需求。
2. 低功耗设计：采用先进的 CMOS 工艺制造，能够显著降低运行时的能耗，非常适合对能效敏感的应用。
3. 广泛的工作温度范围：支持从 -40°C 到 +125°C 的工业级温度范围，确保在极端环境下的稳定性能。
4. 高可靠性：通过多种测试和验证流程，保证长期使用的可靠性和耐用性。
5. 小型封装：采用 TQFP-48 封装形式，便于集成到紧凑型设计中。
这款 SRAM 芯片适用于以下场景：
1. 数据缓存：用于网络交换机、路由器等通信设备中的数据暂存与加速。
2. 实时处理：在工业自动化设备、医疗器械等领域中提供高速数据缓冲功能。
3. 嵌入式系统：作为微控制器或 DSP 的外部存储扩展，提升整体系统的性能。
4. 游戏和娱乐设备：为图形渲染和其他高性能任务提供临时存储支持。
81C25G-Q-AE3-7-R
81C25G-Q-AE3-10-R
MT4C1024A-10J
CY7C1024V33-10LC
