80ZLJ1200M18X40 是一款高性能的电子元器件芯片,广泛应用于工业自动化、电力电子和控制系统等领域。该器件具备高效能、高可靠性和低功耗的特点,适合在复杂环境中稳定运行。其设计结合了先进的半导体工艺和优化的封装技术,以满足高负载和高温应用的需求。
类型:功率MOSFET模块
最大漏极电流:1200A
漏源电压:1800V
栅源电压:±20V
导通电阻:40mΩ
封装类型:模块化封装
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
热阻:0.25K/W
80ZLJ1200M18X40 具备多项优异特性,使其在众多功率器件中脱颖而出。首先,该器件采用了先进的沟槽栅极技术,大幅降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗并提高整体效率。其次,其模块化封装设计不仅提高了散热性能,还增强了器件的机械强度和抗振动能力,适用于严苛的工业环境。
此外,80ZLJ1200M18X40 支持高电流密度和快速开关特性,使其在高频开关应用中表现出色。其栅极驱动电压范围宽,便于与多种驱动电路兼容。该器件还内置了热保护和过流保护机制,提升了系统稳定性并延长了使用寿命。
在热管理方面,该模块的热阻仅为0.25K/W,有效降低了工作温度,确保长时间高负载运行时的可靠性。其封装材料符合RoHS环保标准,支持绿色制造和可持续发展需求。
80ZLJ1200M18X40 主要用于高功率工业设备和电力电子系统中,如电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、太阳能逆变器和轨道交通牵引系统等。其优异的导电性能和稳定的热管理能力,使其在需要高效率和高可靠性的场合表现出色。此外,该器件也可应用于新能源汽车充电设备、储能系统和智能电网等领域,满足高电压和大电流的应用需求。
CM400DY-24A, SKM1000GB176D, FF600R12ME4_B11