容量：68Mbit
　　组织方式：8位数据总线
　　供电电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　最大访问时间：16ns
　　最大工作频率：约66MHz（根据访问时间计算）
　　功耗（典型值）：约150mA（待机模式下电流低于10μA）
　　接口类型：异步SRAM接口

80ZLH68M8X16 SRAM模块具有多项出色的性能特性，适用于各种高性能嵌入式系统和工业应用。
　　首先，该模块提供了68Mbit的存储容量，组织方式为8位数据总线，使其适用于需要大容量SRAM缓冲或高速数据存储的应用场景。其最大访问时间为16ns，支持高达约66MHz的工作频率，这使得它在处理高速数据传输时表现优异。
　　其次，80ZLH68M8X16 的供电电压范围较宽，支持2.3V至3.6V之间的电源供应，这种灵活性使得它可以适应多种电源设计，并且与不同电压标准的控制器兼容。此外，模块在典型工作条件下的电流约为150mA，在待机模式下电流消耗低于10μA，这使其在需要低功耗待机的应用中具有显著优势。
　　再次，80ZLH68M8X16 采用TSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且具有良好的热稳定性和机械可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的应用。
　　最后，该SRAM模块配备了异步接口，简化了与微控制器、FPGA或其他主机系统的连接。其无需刷新的特性也减少了系统复杂性，并提高了数据访问的稳定性。

80ZLH68M8X16 SRAM模块广泛应用于多种高性能嵌入式系统和工业控制设备中。例如，它常用于需要高速缓存或临时数据存储的网络设备，如路由器和交换机；在工业自动化系统中，作为PLC（可编程逻辑控制器）或HMI（人机界面）的临时数据存储单元；在通信设备中，作为数据缓冲器以提升系统响应速度；此外，该模块也适用于测试仪器、医疗设备和汽车电子系统中，提供稳定、可靠的高速存储解决方案。

IS61LV25616-10BLLI-TR