时间：2025/9/8 15:27:52
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80USC2700M30X25 是一款由 Vishay Siliconix 制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及其他高功率密度设计。
类型：功率MOSFET
制造商：Vishay Siliconix
型号：80USC2700M30X25
封装类型：PowerPAK SO-8
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大漏极电流（Id）：80 A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约1.8 mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约60 nC
工作温度范围：-55°C至150°C
技术：沟槽型MOSFET
80USC2700M30X25 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低导通损耗，提高系统效率。其高电流处理能力（80A）使其适用于高功率应用，例如服务器电源、电信设备、汽车电子系统以及工业电源管理。该器件具备良好的热性能和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
此外，该MOSFET的封装设计（PowerPAK SO-8）优化了功率密度，减小了PCB空间占用，同时具有较低的寄生电感，有助于提高开关性能。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路设计，进一步增强了其适用性。
80USC2700M30X25 主要应用于高功率密度的电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、服务器电源供应器、工业控制系统以及高性能计算设备中的电源管理模块。由于其出色的导通性能和高电流能力，它也适用于要求高效能和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和电源分配系统。
Si7483BDP-T1-GE3, IRF6715TRPBF, FDS8878B, AO4407A
