类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1500V
　　连续漏极电流（ID@25°C）：80A
　　最大工作温度：150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约20mΩ
　　封装类型：TO-247，双面散热
　　栅极电荷（Qg）：低至60nC（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　封装尺寸：标准TO-247尺寸
　　安装方式：通孔安装

80USC1500M20X30 的碳化硅材料使其在高温和高电压条件下表现出色，具备出色的热稳定性和较低的导通损耗。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高频工作能力使其适用于高开关频率的电源转换器和逆变器应用。由于SiC材料的宽禁带特性，该MOSFET具备良好的抗辐射能力和长期稳定性，适用于恶劣环境下的电力系统。此外，该器件具备一定的短路耐受能力，在发生短路时可提供额外的保护时间，提升系统可靠性。
　　在热管理方面，该器件采用双面散热封装技术，有助于提高散热效率，降低系统温度，延长器件寿命。同时，该封装形式兼容传统TO-247安装方式，便于在现有系统中替换硅基MOSFET或IGBT。该器件还具备较低的开关损耗，尤其在硬开关和高频应用中表现突出，可显著提升电源系统的效率和功率密度。此外，80USC1500M20X30 的栅极驱动要求与传统硅器件兼容，简化了驱动电路的设计与集成。

80USC1500M20X30 主要应用于需要高电压、高效率和高频率运行的电力电子系统，如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、储能系统、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器以及高功率电源适配器等。在电动汽车领域，该器件可提升充电效率并减小系统体积，满足对高能量密度和高可靠性的需求。在可再生能源系统中，其高频和高效率特性有助于提高能源转换效率。此外，该器件还可用于铁路牵引系统、智能电网设备以及测试与测量仪器中的高功率模块。

UJ3C1500KDT16（Qorvo）、C3M021K1500A（Wolfspeed）、SCT3160KL（ROHM）、SiC MOSFET 1500V 80A TO-247 Dual