80SQ100是一款高压功率MOSFET,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用N沟道技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够有效提升系统效率并降低功耗。
其封装形式通常为TO-220或TO-247,适合于需要高可靠性和散热性能的应用场景。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:80A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:50nC
开关时间:开启时间10ns,关断时间25ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
80SQ100具有以下显著特性:
1. 高电流承载能力,适合大功率应用。
2. 极低的导通电阻,减少导通损耗,提高效率。
3. 快速开关速度,降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
5. 优化的栅极驱动设计,易于与其他控制电路配合使用。
6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
80SQ100广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. DC-DC转换器和逆变器的核心功率器件。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
6. 其他需要高效功率转换的场合。
IRFP260N
STP80NF10
FDP16N10