时间：2025/4/29 18:27:29
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80N85是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），主要用于高频开关应用和电源管理领域。它具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性，适用于各种工业和消费类电子设备中的功率转换电路。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：0.22Ω
栅极电荷：4.7nC
开关时间：ton=12ns, toff=25ns
功耗：9.6W
80N85采用先进的半导体制造工艺，具备出色的电气性能。
1. 低导通电阻：其导通电阻仅为0.22Ω，能够显著降低功率损耗。
2. 高效率：由于其快速开关特性和低栅极电荷，该器件非常适合高频开关应用。
3. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
4. 小型封装：通常使用TO-220或SMD封装形式，便于安装并节省空间。
5. 可靠性高：通过了严格的测试标准，确保在复杂环境下的长期可靠性。
80N85广泛应用于多种电力电子场景，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器和AC-DC适配器。
2. 电机驱动：适合小型直流电机和步进电机控制。
3. 电池管理系统：用作充放电保护开关。
4. 照明系统：支持LED驱动电路设计。
5. 工业自动化：参与各类工业控制电路中。
IRF850, STP80NF06
