80MXG6800M30X50 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片通常用于需要高速数据访问和大容量存储的应用,例如网络设备、工业控制系统和高性能计算系统。该型号的具体配置为64M x 16,容量为1GB,采用高性能的DRAM架构,提供快速的数据读写能力。
制造商:Micron Technology
容量:1GB
组织结构:64M x 16
电压:2.3V - 3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
数据速率:800MHz
访问时间:5.4ns
时钟频率:166MHz
工艺技术:DRAM
80MXG6800M30X50 是一款高性能的DRAM存储器芯片,具有宽电压范围(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源环境。其高数据速率为800MHz,访问时间仅为5.4ns,这使得该芯片能够快速响应数据请求,非常适合需要高速数据处理的应用。此外,该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行。TSOP封装设计提供了良好的电气性能和机械稳定性,同时降低了封装高度,适用于空间受限的应用。该芯片的时钟频率为166MHz,进一步提升了其在高频操作下的性能。由于其高性能和稳定性,该芯片被广泛应用于高端网络设备、嵌入式系统和工业自动化设备中。
80MXG6800M30X50 芯片广泛应用于需要高速数据存取和可靠性的设备中,例如网络交换机、路由器、高性能工业控制系统、服务器内存扩展模块、测试与测量设备以及嵌入式计算系统。由于其在宽温度范围内的稳定性,该芯片也适用于恶劣环境下的工业应用。
MT48LC16M16A2B4-6A