类型：P 沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4 A（@ TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12 A
　　导通电阻（RDS(on)）：32 mΩ（@ VGS = -4.5 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：42 mΩ（@ VGS = -2.5 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55 mΩ（@ VGS = -1.8 V）
　　栅极电荷（Qg）：8.5 nC（@ VGS = -10 V）
　　输入电容（Ciss）：320 pF（@ VDS = -10 V）
　　反向恢复时间（trr）：未指定体二极管快恢复
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23-6 或 PowerPAK SC-6
　　安装类型：表面贴装

7U2E564J 采用 Vishay 领先的 TrenchFET? 技术，这种技术通过在硅基材上构建垂直沟道结构来显著降低单位面积的导通电阻，从而提升器件的整体效率。相比于传统的平面型 MOSFET，TrenchFET? 结构能够实现更高的载流子迁移率和更小的芯片尺寸，在保持高性能的同时大幅减小封装体积。该器件具备非常低的 RDS(on) 值，在 -4.5V 的栅极驱动电压下仅为 32mΩ，这使得它在大电流切换应用中功耗极低，有助于提高系统能效并减少散热需求。此外，即使在较低的驱动电压如 -2.5V 或 -1.8V 下，其 RDS(on) 仍分别维持在 42mΩ 和 55mΩ 的优异水平，表明其对现代低压数字控制信号有良好的兼容性。
　　另一个关键特性是其优秀的热稳定性和长期可靠性。器件经过严格的高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和高压应力测试，确保在恶劣工作环境下依然保持稳定的电气性能。其最大结温可达 +150°C，支持宽范围的工作环境温度，适合部署于高温工业环境或密闭空间内。同时，该 MOSFET 具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护。静电放电（ESD）防护方面，HBM 模型下的耐受能力通常达到 ±2000V，增强了在自动化装配和现场使用中的鲁棒性。
　　从封装角度来看，7U2E564J 多采用小型化表面贴装封装（如 SOT-23-6 或 PowerPAK SC-6），不仅节省 PCB 空间，还优化了热传导路径，提升了功率密度。引脚布局经过精心设计，以最小化寄生电感和电阻，有利于高频开关操作下的电磁兼容性表现。此外，该器件符合 RoHS 指令要求，无铅且绿色环保，适用于全球市场的各类终端产品。总体而言，7U2E564J 凭借其先进的制造工艺、出色的电学性能和可靠的封装设计，成为众多低压 P 沟道开关应用的理想选择。

7U2E564J 主要应用于需要高效、小型化 P 沟道 MOSFET 的电源管理系统中。常见用途包括便携式电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等。在这些设备中，该器件可用于隔离不同功能模块的供电，实现节能待机模式或防止反向电流流动。此外，它也广泛用于 DC-DC 转换电路中，特别是在同步整流架构或低端开关配置中，发挥快速响应和低损耗的优势。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器或电源管理 IC 输出信号控制，无需额外的电平转换电路，简化了整体设计复杂度。
　　在工业领域，7U2E564J 被用于传感器模块、PLC 输入输出单元、远程 I/O 设备等低功耗控制系统中，承担电源切换或信号通断任务。其高可靠性和宽温工作能力使其适应工厂环境中可能出现的温度波动和电气噪声干扰。在通信设备中，该器件可用于 PoE（以太网供电）终端设备的电源管理部分，或作为热插拔电路中的保护开关，防止上电瞬间的浪涌电流损坏后级电路。另外，因其具备良好的瞬态响应能力和较小的输入电容，也可用于高速开关应用，如 LED 驱动电路中的调光控制或脉冲调制开关。总之，无论是在消费类电子、工业自动化还是通信基础设施中，7U2E564J 都以其卓越的性能和灵活性满足多样化的电源开关需求。