型号：7NM80
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：80V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：19A
　　连续漏极电流(ID)@100°C：12A
　　脉冲漏极电流(IDM)：76A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：典型值4.5mΩ，最大值5.8mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：典型值6.8mΩ，最大值8.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：约13nC
　　输入电容(Ciss)：约1070pF
　　输出电容(Coss)：约190pF
　　反向恢复时间(trr)：约24ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
　　封装：LFPAK/Power-SO8

7NM80采用Nexperia先进的TrenchFET技术，这种深沟槽工艺能够在单位面积内实现更高的载流子密度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提升器件的电流处理能力。其在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.5mΩ，在同类80V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流工作条件下产生的导通损耗更小，有利于提高电源系统的转换效率并减少散热需求。此外，该器件在较低栅压（如4.5V）下仍能保持较低的RDS(on)，使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，适用于由微控制器或专用驱动IC直接控制的应用场景。
　　该MOSFET采用LFPAK封装，这是一种无引线、双侧散热的表面贴装封装，相较于传统的TO-220或DPAK封装，具有更低的热阻和更高的功率密度。LFPAK封装通过铜夹连接技术替代了传统焊线，大幅降低了寄生电感和电阻，提升了高频开关性能和可靠性。同时，该封装符合RoHS环保标准，并支持自动光学检测（AOI），便于现代SMT生产线集成。
　　7NM80具备出色的热稳定性与长期可靠性，其最大工作结温高达+175°C，可在高温环境下稳定运行。器件内部集成了齐纳二极管保护栅极，防止因静电放电（ESD）或过压导致的损坏，增强了现场使用的鲁棒性。此外，该器件经过严格的雪崩能量测试，具备一定的抗雪崩能力，适用于存在电感负载突变的场合，如电机驱动或继电器开关。综合来看，7NM80凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的封装热性能和坚固的设计，成为中低压功率开关应用中的理想选择。

7NM80广泛应用于多种需要高效、高密度功率开关的电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流式DC-DC降压变换器中作为主开关或同步整流管，特别是在多相VRM（电压调节模块）中，多个7NM80并联可提供大电流输出，满足高性能CPU或GPU的供电需求。由于其低RDS(on)和快速开关特性，能够显著降低导通和开关损耗，提升电源效率。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和便携式工业设备，7NM80可用于电池充放电管理电路、负载开关或热插拔控制器，实现对电源路径的精确控制，同时减少功耗以延长续航时间。其表面贴装封装也便于小型化设计。
　　在电机驱动方面，7NM80可用于直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用，尤其适合中小功率电机控制，如打印机、扫描仪、电动工具等。其快速响应能力和良好热性能确保电机启停平稳可靠。
　　此外，该器件也适用于工业自动化系统中的固态继电器、PLC输出模块、LED驱动电源以及汽车电子中的辅助电源系统（非牵引类）。在汽车应用中，虽然不直接用于主驱逆变器，但可用于车载充电器、DC-DC转换器或车灯控制模块，满足AEC-Q101可靠性标准的部分要求（需确认具体批次是否通过认证）。总之，7NM80凭借其综合性能优势，适用于各类中等电压、中高电流的开关电源与功率控制场景。

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