时间：2025/12/27 7:42:54
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7NM65G-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的高压MOSFET功率晶体管，采用先进的沟道栅极工艺技术制造，专为高效率开关应用而设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具备优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，适用于多种电源转换场景。7NM65G-TN3-R的最大漏源电压（VDS）为650V，能够承受较高的电压应力，适合在离线式开关电源、AC-DC转换器以及LED照明驱动等高压环境中稳定运行。该器件封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上进行表面贴装或通孔安装。此外，7NM65G-TN3-R符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。产品带有“-R”后缀，表示其为卷带包装，适用于自动化贴片生产线，提升了大规模生产的便利性和效率。由于其高性能参数和可靠的设计，7NM65G-TN3-R广泛应用于工业电源、消费类电子适配器、电信设备电源模块等领域。
型号：7NM65G-TN3-R
制造商：Diodes Incorporated
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650V
最大栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：7A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（ IDM）：28A
功耗（PD）：50W（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值，VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 4.5V
输入电容（Ciss）：1100pF（典型值，VDS=25V）
输出电容（Coss）：260pF（典型值，VDS=25V）
反向恢复时间（trr）：38ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
安装方式：表面贴装/通孔
7NM65G-TN3-R具备多项关键电气与结构特性，使其在中高功率开关应用中表现出色。首先，其650V的高击穿电压能力使其能够在通用输入电压范围（90VAC至265VAC）下的离线式电源系统中安全工作，有效防止因瞬态过压导致的器件损坏。其次，该MOSFET采用了优化的沟道设计，在VGS=10V时可实现低至1.2Ω的导通电阻，显著降低了导通损耗，提高了整体能效。这对于追求高效率和低发热的应用尤为重要，例如节能型开关电源和LED恒流驱动电路。
该器件还具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于减少开关过程中的驱动损耗和电磁干扰（EMI），从而支持更高的开关频率操作。这不仅减小了外围磁性元件的体积，还有助于实现更紧凑的电源设计。同时，其快速的开关响应能力和较短的反向恢复时间（trr=38ns）使得体二极管在硬开关条件下也能保持良好性能，减少了交叉导通风险。
从热管理角度看，TO-252封装提供了较大的散热焊盘区域，允许通过PCB上的铜箔有效传导热量，提升功率密度。该封装也具备良好的机械强度和焊接可靠性，适合自动化生产流程。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，增强了在异常工况下的鲁棒性。综合来看，7NM65G-TN3-R在效率、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源系统的理想选择之一。
7NM65G-TN3-R广泛应用于各类需要高压、高效开关性能的电力电子系统中。典型应用场景包括：通用交流适配器和充电器，尤其是笔记本电脑、显示器和家用电器所使用的外置电源；LED照明驱动电源，特别是在隔离式反激拓扑中作为主开关管使用，支持高功率因数和低谐波失真；小型逆变器和不间断电源（UPS）中的DC-DC升压或DC-AC逆变级；工业控制电源模块，如PLC电源单元和传感器供电电路；电信设备中的板载电源系统，用于将48V母线转换为较低电压轨。
此外，该器件也可用于空调、洗衣机等白色家电的辅助电源（standby power supply）设计中，因其具备良好的轻载效率表现和待机功耗控制能力。在非隔离降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中，若输入电压较高，7NM65G-TN3-R同样可以胜任主开关角色。得益于其卷带包装形式（-R后缀），该器件特别适合SMT贴片生产线，广泛用于需要大批量自动化组装的消费电子制造领域。其可靠的性能和成熟的工艺也使其成为许多OEM厂商在替代老旧功率晶体管或升级现有设计时的优选方案。
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"FQP6N65S",
"STP6NK65ZFP",
"KSE651TMD",
"AP65GTN3"
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