7NM50 时间：2025/12/27 9:00:52 阅读：15

7NM50是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于中高功率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有低导通电阻和高可靠性等特点，能够在高温环境下稳定工作。7NM50的命名中，“7N”通常表示其属于某一系列的N沟道MOSFET，而“M50”则代表其额定电压为500V，同时电流承载能力较强。该器件常用于替代传统的双极型晶体管或IGBT，在效率和响应速度方面具有明显优势。7NM50封装形式多为TO-220或ITO-220AB，便于散热安装，适用于工业控制、消费类电源及照明镇流器等多种应用场景。由于其良好的热稳定性和雪崩能量耐受能力，7NM50在面对负载突变或短路瞬态时表现出较强的鲁棒性，适合在恶劣电气环境中使用。此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体电源系统的能效水平。

参数

型号：7NM50
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：7 A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85 Ω（max, @VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：370 pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：—
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220

特性

7NM50具备出色的电气性能和热稳定性，是中高压功率开关应用中的理想选择。其最大漏源电压可达500V，能够满足大多数离线式开关电源的设计需求，例如AC-DC适配器、LED驱动电源和工业电源模块等。器件的导通电阻典型值为0.85Ω，在VGS=10V条件下可有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。这种低RDS(on)特性使得7NM50在大电流切换过程中发热较小，从而减少了对额外散热措施的依赖。
　　该MOSFET采用了坚固的平面工艺结构，增强了器件在高电场应力下的可靠性，并具备一定的雪崩击穿耐受能力，能够在意外过压情况下保持功能完整性。这一特性对于防止因电感负载突然断开或线路浪涌引起的损坏至关重要。此外，7NM50的栅极电荷较低，输入电容约为1100pF，使其在高频开关应用中表现良好，有利于减小驱动电路的负担并加快开关响应速度。
　　在温度适应性方面，7NM50的工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业与消费级环境条件。即使在高温环境下，其参数漂移也控制在合理范围内，确保长期运行的稳定性。TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导性能，可通过外接散热片进一步增强散热效果。总体而言，7NM50以其高耐压、低导通电阻、良好开关特性和成本效益，成为众多电源设计工程师青睐的功率器件之一。

应用

7NM50广泛应用于各类需要高效能功率开关的电子设备中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、台式机ATX电源；DC-DC变换器中的升压或降压拓扑结构；电机驱动电路，特别是在小型家用电器和工业风扇控制中；LED恒流驱动电源，尤其是在高压直流输入场合；电子镇流器和荧光灯驱动电路；逆变器系统中的桥式开关元件；以及各种工业自动化控制系统中的功率接口模块。由于其具备较高的电压等级和足够的电流处理能力，7NM50也可用于太阳能微逆变器或小型UPS不间断电源系统中作为主开关器件。此外，在电磁炉、电焊机等高功率家电产品中，7NM50因其可靠的热性能和抗冲击能力也被广泛应用。其TO-220封装形式易于安装于标准散热结构上，便于批量生产和维护替换，因此在维修市场同样具有较高的通用性。