型号：7N90L
　　封装：TO-3P
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：900V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：1.1Ω max @ Vgs = 10V
　　阈值电压(Vgs(th))：4V ~ 6V
　　栅极电荷(Qg)：80nC typ
　　输入电容(Ciss)：1150pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：55ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻Rth(j-c)：1.5°C/W

7N90L/TO-3P具备多项优异的电气与热力学特性，使其成为高压电源应用中的理想选择。首先，其高达900V的漏源击穿电压确保了在高压线路环境下仍能稳定工作，特别适用于离线式开关电源设计，如AC-DC适配器、SMPS（开关模式电源）等场景。该MOSFET采用了先进的平面技术制造工艺，在保证高耐压的同时实现了相对较低的导通电阻（Rds(on)最大为1.1Ω），从而有效降低了导通损耗，提升了整体能效。
　　其次，该器件拥有较优的开关性能。其栅极电荷（Qg）仅为80nC左右，意味着在高频开关操作下所需的驱动功率较小，有助于简化栅极驱动电路设计并降低控制芯片负担。同时，输入电容（Ciss）为1150pF，在高频应用中能够减少不必要的振荡风险，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。此外，反向恢复时间（trr）为55ns，表明体二极管具备较快的恢复速度，可减少开关过程中的能量损耗，避免因反向恢复电流引起的电压尖峰问题，提高系统可靠性。
　　再者，7N90L具备出色的热性能。TO-3P封装提供了良好的热传导路径，热阻Rth(j-c)仅为1.5°C/W，使得结温到外壳的热量传递更加高效，能够在持续负载条件下维持较低的工作温度，延长器件寿命。器件支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适应各种严苛工业环境。此外，该MOSFET还具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换时承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　最后，7N90L符合国际环保标准，无铅且符合RoHS指令要求，适用于现代绿色电子产品设计。其引脚布局合理，便于PCB布局和散热设计，尤其适合需要手动焊接或模块化组装的应用场合。综合来看，这款MOSFET在高压、中功率应用场景中展现了卓越的性能平衡，是电源工程师在设计高效率、高可靠性系统时的重要选项之一。

7N90L/TO-3P主要应用于各类需要高电压操作和中等电流承载能力的电力电子设备中。典型应用包括离线式开关电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关器件使用。由于其900V的高击穿电压，它可以直接连接整流后的市电母线电压（例如在230V AC输入时，整流后约为325V，峰值可达近400V以上），无需额外的电压钳位电路即可安全运行，提高了系统简洁性和可靠性。
　　此外，该器件常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在太阳能逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源等设备中发挥关键作用。在这些应用中，7N90L凭借其较低的导通电阻和良好的开关特性，能够显著降低功率损耗，提升转换效率。同时，其快速开关响应能力也有助于实现更高的工作频率，从而减小磁性元件体积，实现小型化设计。
　　在工业控制领域，7N90L也被广泛用于电机驱动电路、加热控制系统和电焊机等大功率负载切换场合。其坚固的TO-3P封装和优异的热管理能力使其能在高温、高湿或多尘环境中长期稳定运行。另外，在电子镇流器和冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器中，该MOSFET可用于构建半桥或全桥拓扑结构，提供高效的交流输出。
　　值得注意的是，由于其具备较强的抗雪崩能力和稳定的电气参数，7N90L也适用于一些存在感性负载突变或电压浪涌风险的应用场景，如继电器驱动、电磁阀控制等。总体而言，该器件凭借其高耐压、适度电流能力和良好的热稳定性，已成为工业电源、消费电子和可再生能源系统中不可或缺的核心功率开关元件之一。

STW9NK90Z STW9N90T4 STP9NK90ZFP STP9NK90T4