型号：7N90G-TF3-T
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：90 V
　　最大连续漏极电流（ID）@25°C：7 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1 V，范围1.6～2.6 V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：44 mΩ 滴大值
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：55 mΩ 最大值
　　栅极电荷（Qg）@10V：16 nC 典型值
　　输入电容（Ciss）：620 pF @ 1 MHz
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70 (SOT-323)

7N90G-TF3-T采用Vishay成熟的沟槽式场效应晶体管技术，具备卓越的导通与开关性能。其核心优势在于极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为44mΩ，在VGS=4.5V时也仅为55mΩ，这使得在中等电流负载下导通损耗大幅降低，提升了电源系统的整体效率。该特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。器件的低阈值电压确保了在低压控制信号下仍能可靠导通，兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，简化了驱动电路设计。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，其栅极电荷Qg典型值为16nC，输入电容Ciss为620pF，这些参数有助于减少驱动损耗并加快开关速度，适用于高频PWM调制的应用场景，如同步整流、DC-DC升压/降压转换器等。此外，较低的反向恢复时间（trr=28ns）意味着体二极管的恢复特性良好，减少了在半桥或H桥拓扑中发生直通电流的风险，提高了系统稳定性。
　　在热性能方面，7N90G-TF3-T采用PowerPAK SC-70封装，该封装具有出色的热阻特性，结到PCB的热阻（RθJP）约为35°C/W，允许器件通过PCB铜箔进行高效散热，无需外加散热片即可承受较高的功率密度。这种设计非常适合高密度贴装的便携式电子产品。
　　安全性与可靠性方面，该器件通过了严格的AEC-Q101车规级认证（如适用版本），具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境温度下稳定运行。同时，产品符合RoHS和无卤素要求，支持绿色环保制造流程。内置的体二极管可提供反向电流路径，在感性负载切换时起到保护作用，进一步增强了系统的鲁棒性。

7N90G-TF3-T广泛应用于多种中低功率电源管理场景。在便携式消费电子产品中，常用于智能手机和平板电脑中的电池充放电管理电路、背光LED驱动开关以及USB接口的过流保护与负载开关控制。其小尺寸封装和高效能特性使其成为空间受限设备的理想选择。
　　在电源转换领域，该器件适用于同步降压（Buck）、升压（Boost）以及降压-升压（Buck-Boost）转换器的主开关或同步整流管，尤其在输入电压为12V或24V的工业与通信电源模块中表现优异。由于其90V的耐压能力，也可用于离线式AC-DC适配器的次级侧整流或控制电路中。
　　此外，7N90G-TF3-T可用于小型电机驱动电路，例如微型风扇、振动马达或无人机舵机的H桥驱动，提供快速响应和低功耗控制。在物联网设备、无线传感器节点和智能穿戴设备中，它作为电源路径管理开关，实现不同电源域之间的无缝切换，优化能耗。
　　在汽车电子中，尽管非所有批次均通过AEC-Q101认证，但部分应用场景如下游灯光控制、车载信息娱乐系统电源开关、电动座椅调节电路中也有应用潜力。其高可靠性与宽温工作能力支持在复杂电磁环境中稳定运行。总之，任何需要高效率、小体积、快速开关的N沟道MOSFET的应用场合均可考虑使用7N90G-TF3-T。

SI2302DS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDS6670A
　　DMG2302UKS-7